【技术实现步骤摘要】
本专利技术总体上涉及声界面波器件，更具体地涉及在第一介质上设置有电极的声界面波器件，其中在所述电极和所述第一介质上设置有第二介质，在所述第二介质上设置有第三介质。此外，本专利技术涉及使用这种声界面波器件的谐振器和滤波器。
技术介绍
作为使用声波的器件，公知有表面声波(SAW)器件。在对45MHz至2GHz的频率范围中的无线电信号进行处理的各种电路中，广泛使用SAW器件。通常，这种电路设置在蜂窝电话中，例如是发送/接收滤波器、接收带通滤波器、本机振荡滤波器、天线双工器、IF滤波器和FM调制器。为了改善温度特性，日本特开2003-209458号公报(文献1)公开了一种具有压电基板的SAW器件，在该压电基板上形成有温度特性的符号不同于该压电基板的温度特性的符号的氧化硅膜。此外，该SAW器件具有主要通过压电基板的表面传播的声波。因此，压电基板的表面上的杂质粒子可能使特性发生改变或劣化。例如，可能改变频率，或者可能增大电气损耗。因而，将该SAW芯片封装在密封结构中。这使得难以缩小SAW器件和降低生产成本。为了实现温度特性的改善、尺寸的减小和成本的降低，在WO98/522...
【技术保护点】
一种声界面波器件，该声界面波器件包括：具有压电性的第一介质；多个电极，其设置在所述第一介质上，并激发声波；第二介质，其由不同于所述第一介质的材料制成，并按覆盖所述多个电极的方式设置在所述第一介质上；以及第三介质，其导热率高于所述第二介质的导热率，并被设置为接触所述第二介质的上表面以及所述第二介质的侧面的至少一部分。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：三浦道雄，松田聪，松田隆志，上田政则，水户部整一，
申请(专利权)人：富士通媒体部品株式会社，富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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