双线中垂切割硅棒的方法、切割设备及切割系统技术方案

本申请实施例提供一种双线中垂切割硅棒的方法、切割设备及切割系统，其中，方法包括：通过两条相互垂直的切割线对硅棒进行一次切割，经其中一条切割线切割形成第一侧面；另一条切割线经过硅棒的中心线，形成第二侧面；通过三条切割线对硅棒进行切割，其中两条切割线均与第一侧面垂直相交，切割形成的切割面分别位于第二侧面的两侧；另一条切割线与第二侧面垂直相交，切割形成的切割面与第一侧面分别位于硅棒中心线的两侧，得到两个横截面为矩形的小硅棒。本申请实施例提供的双线中垂切割硅棒的方法、切割设备及切割系统能够直接得到尺寸较小的硅棒，经过切片形成硅片，满足对小尺寸硅片的要求，且能提高成品率。且能提高成品率。且能提高成品率。

Method, cutting equipment and cutting system for cutting silicon rod with double line sag

【技术实现步骤摘要】
双线中垂切割硅棒的方法、切割设备及切割系统


[0001]本申请涉及硬质材料切割技术，尤其涉及一种双线中垂切割硅棒的方法、 切割设备及切割系统。

技术介绍

[0002]随着异质结电池的发展，小片硅片的需求越来越大，而且对薄片的需求量 也比较大。硅片厚度从原来180微米到150微米，将来的市场甚至可能需要100 微米厚度硅片，而硅片越薄其切割难度就越大，切割质量越不容易保证。
[0003]传统方案中，通常是先将圆柱形的单晶硅棒切割成方棒，然后将方棒切割 成大片硅片，再采用激光技术上对大片硅片进行划片切割形成小片硅片，但激 光划片的过程会造成小片硅片的横断面产生损伤和缺陷态，严重影响最终加工 成的异质结电池的转换效率。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术缺陷之一，本申请实施例中提供了一种双线中垂切割硅 棒的方法、切割设备及切割系统。
[0005]根据本申请实施例的第一个方面，提供了一种双线中垂切割硅棒的方法， 包括：
[0006]沿着硅棒的长度方向通过两条相互垂直的切割线对硅棒进行一次切割，经 其中一条本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双线中垂切割硅棒的方法，其特征在于，包括：沿着硅棒的长度方向通过两条相互垂直的切割线对硅棒进行一次切割，经其中一条切割线切割形成第一侧面，第一侧面的宽度小于硅棒的直径；另一条切割线经过硅棒的中心线，形成与第一侧面垂直的第二侧面；沿着硅棒的长度方向通过三条切割线对硅棒进行切割，其中两条切割线均与第一侧面垂直相交，切割形成的切割面分别位于第二侧面的两侧；另一条切割线与第二侧面垂直相交，切割形成的切割面与第一侧面分别位于硅棒中心线的两侧，得到两个横截面为矩形的小硅棒。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沿着硅棒的长度方向通过三条切割线对硅棒进行切割，具体为：沿着硅棒的长度方向通过三条切割线对硅棒进行一次切割。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沿着硅棒的长度方向通过三条切割线对硅棒进行切割，具体为：沿着硅棒的长度方向通过三条切割线对硅棒进行两次切割。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，沿着硅棒的长度方向通过三条切割线对硅棒进行两次切割，包括：沿着硅棒的长度方向通过两条平行的切割线对硅棒进行切割，两条切割线分别与第一侧面垂直相交，切割形成的切割面分别位于第二侧面的两侧；沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行切割，该切割线与第二侧面垂直相交，形成的切割面与第一侧面分别位于硅棒中心线的两侧，得到两个横截面为矩形的小硅棒。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，沿着硅棒的长度方向通过三条切割线对硅棒进行两次切割，包括：沿硅棒的长度方向通过两条切割线对硅棒进行切割，其中一条切割线与第一侧面垂直相交，且位于第二侧面的一侧；另一条切割线与第二侧面垂直相交；沿硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行切割，该切割线与第一侧面垂直相交，且位于第二侧面的另一侧。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沿着硅棒的长度方向通过三条切割线对硅棒进行切割，具体为：沿着硅棒的长度方向通过三条切割线对硅棒进行三次切割，每次通过一条切割线进行切割，具体包括：沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行切割，该切割线与第二侧面垂直相交；沿着硅棒的长度方向通过一条切割线对硅棒进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛俊兵，陈明一，刘克村，马飞，
申请(专利权)人：青岛高测科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：