【技术实现步骤摘要】
基于随机行走的寄生电容提取方法、装置和电子装置
[0001]本申请涉及集成电路
，特别是涉及一种基于随机行走的寄生电容提取方法、装置、电子装置和存储介质。
技术介绍
[0002]在集成电路的版图验证中，一个重要的环节是对于导体的寄生电容的提取。随着工业界对计算精度的要求越来越高，寄生电容的提取往往要依赖于三维场求解器进行精确求解，在三维场求解器中，随机行走算法是一种比较流行的方法。
[0003]随机行走不同于常规的有限差分、有限元等方法，它无需求解线性方程组，其主要步骤是从包围导体的高斯面上随机选取采样点，以此点为中心构造一个最大转移立方体，下一次取点则随机落在此立方体的表面。重复此过程，直到随机点的位置到达某一个导体的表面或者版图的边界，则完成一次随机行走过程。
[0004]然而，在复杂的工艺条件下，集成电路的版图中可能存在大量导体图形，而且这些导体的表面情况异常复杂。最大转移立方体的大小受到导体表面的制约，可能发生多次跳转都未能落在某一个导体或版图的表面上的情况，要计算某一导体与其他导体或版图之间的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于随机行走的寄生电容提取方法，其特征在于，所述方法包括：在目标导体对应的高斯面上随机选取第一行走点；以所述第一行走点为起始点开始随机跳转，得到下一个行走点，并将所述下一个行走点作为跳转点；在所述跳转点的位置处于预设的第一位置区间时，确定当前随机行走过程已完成，其中，所述第一位置区间的下限值表示在除所述目标导体外的任一空间导体的表面上的任一位置，所述第一位置区间的上限值表示在除所述目标导体外的任一空间导体的表面外的预设位置；在与所述目标导体对应的随机行走过程的完成步数达到预设的第一阈值时，根据每次随机行走过程所对应的采样值，计算所述目标导体的寄生电容值。2.根据权利要求1所述的基于随机行走的寄生电容提取方法，其特征在于，在以所述第一行走点为起始点开始随机跳转，得到下一个行走点，并将所述下一个行走点作为跳转点之后，所述方法还包括：在所述跳转点的位置未处于所述第一位置区间时，以所述下一个行走点为起始点重复随机跳转和位置判断，直至所述跳转点的位置处于所述第一位置区间，确定当前随机行走过程已完成。3.根据权利要求1所述的基于随机行走的寄生电容提取方法，其特征在于，开始随机跳转，得到下一个行走点包括：以所述起始点为中心构造不包含任何导体的最大转移立方体；在所述转移立方体上随机选取下一个行走点。4.根据权利要求1所述的基于随机行走的寄生电容提取方法，其特征在于，根据每次随机行走过程所对应的采样值，计算所述目标导体的寄生电容值包括：根据每次随机行走过程所对应的所述目标导体的采样值，判断所述目标导体的采样值是否已收敛；在所述目标导体的采样值已收敛时，计算所述目标导体的寄生电容值；在所述目标导体的采样值未收敛时，继续进行与所述目标导体对应的随机行走过程。5.根据权利要求4所述的基于随机行走的寄生电容提取方法，其特征在于，根据每次随机行走过程所对应的所述目标导体的采样值，判断所述目标导体的采样值是否已收敛包括：根据每次随机行走过程所对应的所述目标导体的采样值，计算所述目标导体的总采样值以及所有采样值的平方和；通过关系式：确定所述目标导体所对应的采样方差；其中，err表示采样方差，C表示所述目标导体的总采样值，N表示与所述目标导体对应的随机行走过程的完成步数，C2表示所述目标导体的所有采样值的平方和，c
i
表示所述目标导体第i次随机行走过程所对应的采样值；根据所述采样方差与预设的第二阈值之间的大小关系，判断所述目标导体所对应的采样值是否已收敛；
其中，在小于所述第二阈值时，则确定所述目标导体的采样值已收敛；在大于或等于所述第二阈...
【专利技术属性】
技术研发人员：何裕，焦吾振，胡超，曾宪强，贺青，
申请(专利权)人：杭州行芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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