一种甄别处于电流泄露回路中器件的方法技术

本发明专利技术提供了一种甄别处于电流泄露回路中器件的方法，包括：获取版图信息，将连接至少两个有源区的M0识别为第一M0；将包含相邻的第一M0及其连接的两个有源区所围成的封闭区域分别记为loop_holes，将所述loop_holes分别扩张成最小的矩形识别为第一矩形；扩张后的第一矩形与第一M0的重叠区域识别为第一区；将有效的有源区减去M0后的图形区域中，与所述第一矩形接触的区域记为第一有源区；根据器件的栅极两侧与第一有源区的位置关系判断该器件是否为处于电流泄漏回路中的器件。为设计的优化和生产效率的提高，改善工艺，降低质量风险提供了有效而简洁的方法。了有效而简洁的方法。了有效而简洁的方法。

【技术实现步骤摘要】
一种甄别处于电流泄露回路中器件的方法


[0001]本专利技术属于半导体设计和生产领域，具体涉及一种根据版图甄别器件是否是处于电流泄露回路中的器件的方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路的设计规模不断扩大，单一芯片上的电子器件密度越来越大，则电子器件的特征尺寸越来越小，同时集成电路工艺流程包含着很多复杂的工艺步骤，每一步都有特定的工艺制造偏差，从而导致了集成电路芯片的成品率降低。在可制造性设计的背景下，为了提高集成电路产品的成品率，缩短成品率成熟周期，业界普遍采用基于特殊设计的测试芯片的测试方法，通过对测试芯片的测试来获取制程和设计良率改善所必须的数据。
[0003]在一些成品测试芯片中，会先将产品版图中的M1及更上层金属除去，再选择产品版图中的器件后，通过添加一层新的M1实现连接测试。在去除M1及更上层金属后选择测试器件时，当选中了处于电流泄漏回路中的器件作为测试对象时，回路中的其他器件理应全部关断，但实际上其他器件处于不连接到任何焊盘的悬浮状态，电位不稳定、通断状态无法控制，可能会导通从而产生漏电流，进而通过电流泄漏回路对流经目标本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种甄别处于电流泄露回路中器件的方法，其特征在于：包括：步骤S1.获取版图信息，包括有源区层、M0层、栅极层、M0切断层和多晶硅切断层；所述M0用于连接有源区；将连接至少两个有源区的M0识别为第一M0；步骤S2.将包含相邻的第一M0及其连接的两个有源区所围成的封闭区域分别记为loop_holes，将所述loop_holes分别扩张成最小的矩形识别为第一矩形；设栅极延伸方向为垂直方向，垂直于栅极延伸方向为水平方向；将所述第一矩形的垂直边分别沿着水平方向向外移动预设的距离，实现对第一矩形的扩张，扩张后的第一矩形与第一M0的重叠区域识别为第一区；步骤S3.将有效的有源区减去M0后的图形区域中，与所述第一矩形接触的区域记为第一有源区；所述有效的有源区是指有源区层中的有源区减去栅极层中栅极后的有源区区域；步骤S4.根据器件的栅极两侧与第一有源区的位置关系判断该器件是否为处于电流泄漏回路中的器件。2.根据权利要求1所述的一种甄别处于电流泄露回路中器件的方法，其特征在于：所述步骤S4中，甄别的方法是若器件栅极两侧接触的有源区都是第一有源区，则所述器件处于电流泄露回路中。3.根据权利要求1所述的一种甄别处于电流泄露回路中器件的方法，其特征在于：所述版图信息还包括多晶硅切断层，所述栅极为栅极层中的栅极区域减去多晶硅切断层中切断区域的有效栅极区域。4.根据权利要求1所述的一种甄别处于电流泄露回路中器件的方法，其特征在于：所述步骤S2中预设的距离小于M0的宽度；所述M0的宽度是指M0图形中...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘伟伟，胡佳南，杨璐丹，蓝帆，
申请(专利权)人：杭州广立微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：