AM中频可变增益放大电路、可变增益放大电路及其半导体集成电路制造技术

本发明专利技术的课题是提供可在低电源电压下使用，且电路内部发生的噪声较少的可变增益放大电路。在构成差动放大电路的２个ＭＯＳ晶体管的源极间连接第三ＭＯＳ晶体管，第三ＭＯＳ晶体管的栅极上，被供给使第三ＭＯＳ晶体管在非饱和区域工作的直流偏压。若ＡＭ可变增益放大电路的输出电压增加，则提供使第三ＭＯＳ晶体管的源极／漏极间电阻变小的控制电压，ＡＭ中频可变增益放大电路的增益变小。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及放大AM中频信号的可变增益放大电路、可变增益放大电路及搭载该可变增益放大电路的半导体集成电路。
技术介绍
根据输入信号电平的变化控制增益的可变增益放大器是众所周知的。作为可变放大器的一例，在专利文献1中记载了有关在构成差动放大器的晶体管发射极端子间连接由二极管构成的可变电阻部件，并控制流入该可变电阻部件的电流与控制输入的指数成比例的电路。另外，在专利文献2中记载了有关改变差动放大电路的2个输出电流输入的可变电阻的电阻值，控制增益的电路。图4表示一例改变流入差动放大电路的MOS晶体管的电流来控制增益的可变增益放大电路。可变增益放大电路10由以下部分构成电流源11；用以控制增益的控制电压供给栅极的p沟道MOS晶体管12；控制基准电压供给栅极的p沟道MOS晶体管13；将输入信号及其反相信号差动放大的4个p沟道MOS晶体管14～17；以及与p沟道MOS晶体管14、17的漏极连接，且另一端接地的电阻R1、R2。图4的可变增益放大电路40通过控制流过p沟道MOS晶体管12的电流，改变放大电路的增益。以下，参照图5(a)～(c)说明图4的可变增益放大电路10的动作。图5(b)表示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＡＭ中频可变增益放大电路，其中设有：将输入信号与该输入信号反相后的反相输入信号差动放大的第一和第二场效应晶体管；在所述第一场效应晶体管的源极与所述第二场效应晶体管的源极之间连接，并向栅极供给用以控制所述第一和第二场效应晶 体管差动放大增益的控制电压的第三场效应晶体管；以及提供使所述第三场效应晶体管在非饱和区域工作的直流偏压的偏压电路。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：胜永浩史，宫城弘，
申请(专利权)人：株式会社丰田自动织机，新泻精密株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]