具有高动态范围的闭环功率控制制造技术

一种方法（５００）和装置（３００、４００、６０１），在发射机中在从一个发射功率水平到另一个发射功率水平的转换期间和转换时辅助功率控制环路中的闭环发射功率控制。所述装置包括：参考路径（３２６），被配置成提供参考信号（３２５）和增益补偿信号（４１７）；检测路径（３２７），被配置成根据所述增益补偿信号处理和功率水平对应的被检测信号，以便提供经增益补偿的被检测信号；和功率控制路径（３２８），被配置成根据所述参考信号、所述经增益补偿的被检测信号和与所述增益补偿信号相关联的环路补偿因子产生功率控制值，其中，所述功率控制值适于设置发射功率水平。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种被配置成辅助与发射相关联的不同功率水平之间的发射功率控制的集成电路（ＩＣ），所述ＩＣ包含：　　　　参考路径，被配置成提供参考信号和增益补偿信号；　　　　检测路径，被配置成根据所述增益补偿信号处理与功率水平对应的被检测信号，以便提供经增益补偿的被检测信号；和　　　　功率控制路径，被配置成根据所述参考信号、所述经增益补偿的被检测信号、和与所述增益补偿信号相关联的环路补偿因子产生功率控制值，所述功率控制值适于设置用于发射的功率水平。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：马西伯拉曼，乔治伊冯特，普雷温库玛普雷玛卡那斯安，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]