本发明专利技术提供一种发光装置，其包括多个发光单元以及多个焊线层，各发光单元包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极是间隔设置，且第一电极和第二电极的电性不同，通过多个焊线层将多个发光单元电性连接，其中，相邻二个发光单元之间的间距为0.5μm～50μm，各焊线层投影至发光单元上的长度大于等于150μm。借此，可以在保证安全焊线距离的情况下，有效缩小发光单元之间的间距，具有高光功率密度。具有高光功率密度。具有高光功率密度。
Light emitting device
【技术实现步骤摘要】
发光装置
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种发光装置。
技术介绍
[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)为半导体发光元件，通常是由如GaN、GaAs、GaP、GaAsP等半导体制成，其核心是具有发光特性的PN结，在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区，进入对方区域的少数载流子一部分与多数载流子复合而发光。LED具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。
[0003]为适配应用端电源，高压中低电流驱动封装平台应运而生，愈来愈多的LED产品是将原先的单一芯片划分成多颗小芯片，再将多颗小芯片串接起来，以使得LED产品具有更好的光电特性，尽可能满足市场对于高光功率密度的需求。然而，使用多颗小芯片串接，在封装制程中需要考虑安全焊线距离(安全焊线距离≥150μm)，使得小芯片与小芯片之间的间隙无法缩小，也就无法更好地满足市场对于LED产品的高光功率密度的需求。
[0004]一组完整的焊线包含第一焊点、第二焊点以及线弧；安全焊线距离的限定主要来源于封装工艺的焊线设备，具体是因为焊线的瓷嘴在打第二焊点的时候不能碰到已经打好的第一焊点，瓷嘴的物理尺寸跟焊点的大小决定了两个焊点的距离无法趋近于0，安全焊线距离至少应该大于瓷嘴半径以及两个焊点半径的总和，因此，在实务上安全焊线距离需≥150μm。
[0005]因此，如何在保证安全焊线距离的情况下缩小芯片与芯片之间的间隙已成为本领域技术人员亟待解决的技术难题。
技术实现思路
[0006]本专利技术提供一种发光装置，其包括多个发光单元以及多个焊线层。
[0007]各发光单元包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极是间隔设置，第一电极和第二电极的电性不同。所述多个焊线层将所述多个发光单元电性连接，其中，相邻二个发光单元之间的间距为0.5μm～50μm，各焊线层投影至发光单元上的长度大于等于150μm。
[0008]在一实施例中，所述多个发光单元之间是串联连接，从所述发光装置的上方朝向所述发光单元俯视，各所述发光单元具有四个边，所述四个边在一个环绕方向上依次定义为第一长边、第一短边、第二长边和第二短边；其中，所述第一电极到所述第一短边的第一水平距离介于所述第一长边的长度的1/8～1/2，所述第二电极到所述第二短边的第二水平距离介于所述第一长边的长度的1/100～1/10；或是，所述第二电极到所述第二短边的第二水平距离介于所述第一长边的长度的1/8～1/2，所述第一电极到所述第一短边的第一水平距离介于所述第一长边的长度的1/100～1/10；或是，所述第一电极到所述第一短边的第一水平距离介于所述第一长边的长度的1/16～1/8，所述第二电极到所述第二短边的第二水平距离介于所述第一长边的长度的1/16～1/8。
[0009]在一实施例中，所述多个发光单元之间是并联连接，从所述发光装置的上方朝向所述发光单元俯视，各所述发光单元具有四个边，所述四个边在一个环绕方向上依次定义为第一长边、第一短边、第二长边和第二短边；其中，所述第一电极到所述第一短边的第一水平距离介于所述第一长边的长度的1/8～1/2，所述第一电极到所述第二短边的第四水平距离介于所述第一长边的长度的1/100～1/10，所述第二电极到所述第二短边的第二水平距离介于所述第一长边的长度的1/8～1/2，所述第二电极到所述第一短边的第五水平距离介于所述第一长边的长度的1/100～1/10；所述第一电极到所述第一短边的第一水平距离介于所述第一长边的长度的1/100～1/10，所述第一电极到所述第二短边的第四水平距离介于所述第一长边的长度的1/8～1/2，所述第二电极到所述第二短边的第二水平距离介于所述第一长边的长度的1/100～1/10，所述第二电极到所述第一短边的第五水平距离介于所述第一长边的长度的1/8～1/2；或是，所述第一电极到所述第一短边的第一水平距离介于所述第一长边的长度的1/16～1/8，所述第一电极到所述第二短边的第四水平距离介于所述第一长边的长度的1/16～1/8，所述第二电极到所述第二短边的第二水平距离介于所述第一长边的长度的1/16～1/8，所述第二电极到所述第一短边的第五水平距离介于所述第一长边的长度的1/16～1/8。
[0010]在一实施例中，各所述发光单元中的第一电极与第二电极之间具有第三水平距离，所述第三水平距离介于所述第一长边的长度的3/10～1/2。
[0011]在一实施例中，所述第一电极到所述第一长边的第一竖直距离介于所述第一短边的长度的3/20～3/10，所述第二电极到所述第一长边的第二竖直距离介于所述第一短边的长度的1/50～1/20，所述第一竖直距离大于所述第二竖直距离；或是，所述第一电极到所述第一长边的第一竖直距离介于所述第一短边的长度的1/50～1/20，所述第二电极到所述第一长边的第二竖直距离介于所述第一短边的长度的3/20～3/10，所述第一竖直距离小于所述第二竖直距离。
[0012]在一实施例中，各所述发光单元还包括基板，所述基板具有相对的第一侧和第二侧，所述第一电极和所述第二电极位于所述基板的第一侧。
[0013]在一实施例中，各所述发光单元还包括外延结构、凹槽和绝缘层，所述外延结构包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述发光层位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，所述第二半导体层相较于所述第一半导体层更靠近所述基板，所述凹槽是由所述第二半导体层的表面向所述发光层延伸至所述第一半导体层，所述第一电极电连接所述第一半导体层，所述第二电极电连接所述第二半导体层，所述绝缘层覆盖所述凹槽和所述外延结构，以使得所述第一电极与所述第二电极彼此电绝缘。
[0014]在一实施例中，各所述发光单元还包括第一电连接层和第二电连接层，所述第一电连接层通过所述凹槽连接所述第一半导体层，所述第二电连接层连接所述第二半导体层，所述第一电连接层和所述第二电连接层在远离所述基板的一侧具有裸露区域，所述第一电极设置于所述第一电连接层的裸露区域上，所述第二电极设置于所述第二电连接层的裸露区域上。
[0015]在一实施例中，所述发光层设置在所述第一电极和所述第二电极之间。也就是所述第一电极到所述第二电极之间存在所述发光层。
[0016]在一实施例中，所述焊线层跨过相邻二个发光单元的发光层。
[0017]在一实施例中，所述第一电极与所述第二电极的远离所述基板的表面低于所述外延结构远离所述基板的表面。
[0018]在一实施例中，相邻二个所述发光单元之间的间距小于等于30μm。
[0019]在一实施例中，当多个发光单元之间是串联关系时，所述焊线层的两端分别连接的第一电极与第二电极是错位设置的。
[0020]在一实施例中，所述发光装置的光功率密度大于3W/mm2。
[0021]本专利技术还提供一种显示装置，其采用上述任意一实施例中所述的发光装置。
[0022]本专利技术的一个优势在于提供一种发本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于：所述发光装置包括：多个发光单元，各所述发光单元包括第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极是间隔设置，且所述第一电极和所述第二电极的电性不同；多个焊线层，通过所述多个焊线层将所述多个发光单元电性连接；其中，相邻二个所述发光单元之间的间距为0.5μm～50μm，各所述焊线层投影至所述发光单元上的长度大于等于150μm。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述多个发光单元之间是串联连接，从所述发光装置的上方朝向所述发光单元俯视，各所述发光单元具有四个边，所述四个边在一个环绕方向上依次定义为第一长边、第一短边、第二长边和第二短边；其中，所述第一电极到所述第一短边的第一水平距离介于所述第一长边的长度的1/8～1/2，所述第二电极到所述第二短边的第二水平距离介于所述第一长边的长度的1/100～1/10；或是，所述第二电极到所述第二短边的第二水平距离介于所述第一长边的长度的1/8～1/2，所述第一电极到所述第一短边的第一水平距离介于所述第一长边的长度的1/100～1/10；或是，所述第一电极到所述第一短边的第一水平距离介于所述第一长边的长度的1/16～1/8，所述第二电极到所述第二短边的第二水平距离介于所述第一长边的长度的1/16～1/8。3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于：所述多个发光单元之间是并联连接，从所述发光装置的上方朝向所述发光单元俯视，各所述发光单元具有四个边，所述四个边在一个环绕方向上依次定义为第一长边、第一短边、第二长边和第二短边；其中，所述第一电极到所述第一短边的第一水平距离介于所述第一长边的长度的1/8～1/2，所述第一电极到所述第二短边的第四水平距离介于所述第一长边的长度的1/100～1/10，所述第二电极到所述第二短边的第二水平距离介于所述第一长边的长度的1/8～1/2，所述第二电极到所述第一短边的第五水平距离介于所述第一长边的长度的1/100～1/10；或是，所述第一电极到所述第一短边的第一水平距离介于所述第一长边的长度的1/100～1/10，所述第一电极到所述第二短边的第四水平距离介于所述第一长边的长度的1/8～1/2，所述第二电极到所述第二短边的第二水平距离介于所述第一长边的长度的1/100～1/10，所述第二电极到所述第一短边的第五水平距离介于所述第一长边的长度的1/8～1/2；或是，所述第一电极到所述第一短边的第一水平距离介于所述第一长边的长度的1/16～1/8，所述第一电极到所述第二短边的第四水平距离介于所述第一长边的长度的1/16～1/8，所述第二电极到所述第二短边的第二水平距离介于所述第一长边的长度的1/...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾晓强，杨剑锋，黄少华，
申请(专利权)人：朗明纳斯光电厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：
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