一种低噪声、低失真的D类放大器制造技术

技术编号:3402832 阅读:150 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种低颤动死区时间电路,使用一种RC组合对半桥式电路中的上下两个MOSFET的导通延迟进行调节。此电路在半桥式电路中能将导通延迟的颤动降至最低,并对于两个MOSFET都得到符合一致的导通延迟。这能使噪声和失真降至最低。此电路被设计成和分流调节器一起使用于从供电装置中排除纹波。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种D类放大器,带有一个桥式电路、一个包含有脉冲宽度调制器的低颤动电路、一个耦合在该调制器和一个MOSFET桥式电路之间用于在该桥式电路中控制各个MOSFET的门的驱动电路,其特征在于,该桥式电路包含有相互串联的并被连接到驱动电路且在高低电压源之间的高侧和低侧的MOSFET、一个被连接在高低供电干线之间并有时间延迟电路用于使MOSFET中的一个的导通延迟的死区时间电路、一个被耦合到延迟时间电路以选择MOSFET中的一个的逻辑电路、和一对用于快速关闭另一个MOSFET的锁存装置。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:斯图尔特浦林
申请(专利权)人:英特赛尔公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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