低噪声放大器制造技术

一种低噪声放大器，它包括：ＣＭＯＳ晶体管（Ｍ↓［１］），所述ＣＭＯＳ晶体管具有栅极、源极和漏极，栅极端子通过第一阻抗匹配网络（Ｌ↓［ｇ］）连接到放大器的输入端，源极端子通过第二阻抗匹配网络（Ｌ↓［ｓ］）连接到信号接地线；以及连接在晶体管（Ｍ↓［１］）的栅极端子和源极端子之间的容性阻抗（Ｃ↓［ｄ］）。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及低噪声放大器。
技术介绍
当接收到弱无线电信号时，在进一步处理之前必须首先将其放大。完成此功能的放大器加到所述信号上的噪声必须尽可能小。这种放大器称为低噪声放大器(LNA)。除了低噪声之外，所述放大器还必须具有完全确定的电阻性输入阻抗，以使通常位于放大器前面的滤波器能按要求工作。为了理解LNA的重要性，应当指出，无线电接收机的噪声系数绝不会小于无线电接收机中LNA的噪声系数。在高性能的无线电接收机中，第一个单元总是低噪声放大器(LNA)，所述低噪声放大器的性能为整个无线电接收机的性能设定了一个极限。所以，如果要将CMOS技术应用于要求高的应用中，重要的是能够设计出具有非常低噪声的CMOS LNA。一般来说，对LNA的要求，除了低噪声之外，还有高线性、足够高的增益、完全确定的电阻性输入阻抗(以便与在几乎所有无线电接收机中都设置在LNA前面的无源非芯片式滤波器相匹配)以及低功耗。有好几种不同的方案可获得电阻性输入阻抗。例如，可以使用共用栅极布局、使得输入电导等于晶体管的跨导。但最佳的噪声性能是用电感性源极衰减的方法实现的，其实例示于附图的附图说明图1。图1所示电路包括两个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低噪声放大器，它包括：ＣＭＯＳ晶体管，所述ＣＭＯＳ晶体管具有栅极端子、源极端子和漏极端子，所述栅极端子通过第一阻抗匹配网络连接到所述放大器的输入端，而所述源极端子通过第二阻抗匹配网络连接到信号接地线；以及，容性阻抗，它连接在所述 晶体管的所述栅极端子和所述源极端子之间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：P安德雷尼，H斯杰兰德，
申请(专利权)人：艾利森电话股份有限公司，
类型：发明
国别省市：SE[瑞典]