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低噪声放大器制造技术
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下载低噪声放大器的技术资料
文档序号:3402327
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一种低噪声放大器,它包括:CMOS晶体管(M↓[1]),所述CMOS晶体管具有栅极、源极和漏极,栅极端子通过第一阻抗匹配网络(L↓[g])连接到放大器的输入端,源极端子通过第二阻抗匹配网络(L↓[s])连接到信号接地线;以及连接在晶体管(M...
该专利属于艾利森电话股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过艾利森电话股份有限公司授权不得商用。
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