晶体管放大器电路制造技术

一种晶体管放大器电路，具有电流至电流反馈变压器，用于中和反馈电容和设置放大器的输入阻抗。通过输入端上的频带外终端执行ＩＭ３消除，该消除不依赖于放大器输出端的负载。ＩＭ３消除提供更好的线性度，而电容中和提供高而稳定的增益。在宽动态范围上的增益和线性度方面，这些特征比线性度其他现有技术更加不相关。因此，在所希望的高增益和良好线性度特性之间存在较少的折衷。特别地，他们的实施可以具有好的效果和高度集成，这对许多诸如为便携设备或家用电器的无线传输之类的应用是很重要的。该放大器可以是单端或差分共发射极放大器。它可以对ＲＦ应用使用ＧａＡｓ　　ＨＢＴ或其他双极型技术（ＳｉＧｅＨＢＴ，ＧａＡｓ　　ＨＢＴ，Ｓｉ　　ＢＪＴ）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种放大器电路及应用这种电路的无线收发器，特别是具有消除三阶互调失真(IM3)和中和反馈电容的电路的单端或差分放大器，以及使用这种放大器来产生放大信号的相应方法。
技术介绍
如图1所示，通过美国申请6,211,738已知提供电感来中和寄生电容，例如单端放大器的集电极-基极电容或漏-栅电容。其示出了对放大器使用形成在砷化镓基板上的异质结双极型晶体管(HBT)，以应用于放大MMIC(单片微波集成电路)中。同时还提到其他类型的晶体管，例如金属半导体场效应晶体管(MESFET)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、互补型金属氧化物半导体(COMS)。这种放大器受制于在输入和输出信号之间发生反馈时减少的增益，并受制于这种反馈中的不稳定性。输出和输入端之间的感应元件的存在会增加具有反馈电容的并联谐振电路。一种改进是建议在位于放大器的输入和输出端处设置电感器，从而在两个电感器之间建立互感。这提供了电感反馈通道来消除晶体管放大器的固有电容反馈。通过使用相对小的电感器可以获得较大的有效电感值，并可以避免低频不稳定的问题。然而，该文件没有建议如何改进线性度。该图示出放大电路1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管放大器电路，具有用于消除第三级互调失真（ＩＭ３）的电路，以及中和反馈电容的电路。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M范德海登，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]