峰值电压保护电路及其方法技术

一种峰值电压保护电路，用于保护关联的高电压ＮＰＮ晶体管（Ｔ３）免于击穿，所述保护电路包括：低电压ＮＰＮ元件（Ｔ１５），用于读出与关联的高电压ＮＰＮ晶体管（Ｔ３）的基极－集电极电压相关的传感器电压。所述电路还包括激活电路，用于在触发时限制关联的高电压ＮＰＮ晶体管（Ｔ３）的基极－集电极电压。低电压ＮＰＮ元件（１５）与激活电路相连，用于在传感器电压超过低电压ＮＰＮ晶体管（Ｔ１５）的击穿电压时触发所述激活电路。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种峰值电压保护电路，用于保护关联的高电压ＮＰＮ晶体管（Ｔ３）免于击穿，所述保护电路包括：低电压ＮＰＮ元件（Ｔ１５），用于读出与关联的高电压ＮＰＮ晶体管（Ｔ３）的基极－集电极电压相关的传感器电压；以及激活电路，用于在触发时限 制关联的高电压ＮＰＮ晶体管（Ｔ３）的基极－集电极电压，其中，低电压ＮＰＮ元件（１５）与激活电路相连，用于在传感器电压超过低电压ＮＰＮ晶体管（Ｔ１５）的击穿电压时触发所述激活电路。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿德里安努斯范贝松森，罗纳德考斯特，罗伯M海瑞斯，德米特里P普瑞霍德克，巴特巴姆，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]