【技术实现步骤摘要】
磁光器件、磁光控制系统及方法
[0001]本申请涉及磁光器件
,特别是涉及一种磁光器件、磁光控制系统及方法。
技术介绍
[0002]随着磁光材料领域的发展,磁光材料广泛应用在信息功能器件中,涉及到国防、民用基础设施以及商用光通信等领域。利用磁光材料的特性,可以制备出磁光开关,磁光存储,磁光隔离器,磁光调制器等各类功能的磁光器件,利用电控的方式实现对磁光器件磁光响应的调控具有重要的意义。
[0003]传统技术中,利用导电线圈通电流来产生外磁场,进而利用产生外磁场的方向来调控磁光器件的磁化方向,实现对磁光器件中入射光偏振状态的调控。由于外磁场的发散性和非局域等特点,在集成器件中利用该方法无法进一步将磁光器件降低至更小尺寸。同时,外磁场的发散性会串扰信号,在外磁场作用下的磁光响应速度等一些磁光器件的关键指标都会受到限制。除此之外,由于利用通电线圈来产生磁场也会使得磁光器件产生焦耳热量,这种方式会大大降低磁光器件器件的使用的效率和功耗。
技术实现思路
[0004]基于此,有必要针对现有技术中磁光器件无法 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种磁光器件,其特征在于,所述磁光器件包括:磁光薄膜(100),所述磁光薄膜(100)的材料包括含铋元素的过渡族金属氧化物;绝缘衬底(200),所述磁光薄膜(100)外延生长在所述绝缘衬底(200)上;所述磁光薄膜(100)表面形成有重金属薄膜阵列(300),所述重金属薄膜阵列(300)用于基于施加的不同方向的电流改变所述磁光薄膜(100)的面外磁化方向。2.根据权利要求1所述的磁光器件,其特征在于,所述过渡族金属氧化物包括3d过渡族金属氧化物。3.根据权利要求1所述的磁光器件,其特征在于,所述磁光薄膜(100)的厚度小于100纳米。4.根据权利要求1所述的磁光器件,其特征在于,所述磁光薄膜(100)通过激光脉冲沉积方法外延生长在所述绝缘衬底(200)上。5.根据权利要求1所述的磁光器件,其特征在于,所述磁光薄膜(100)通过液相外延方法外延生长在所述绝缘衬底(200)上。6.根据权利要求1所述的磁光器件,其特征在于,所述重金属薄膜阵列(300)中的金属元素包括铂、钽和铋。7.一种磁光控制系统,其特征在于,所述磁光控制系统包括如权利要求1
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6所述的磁光器件、以及电源(400)和金属引线(500),其中:所述电源(400),用于提供电流;所述金属引线(500),分别与重金属薄膜阵列(300...
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