一种磁场调控型光吸收装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及光吸收技术领域，具体涉及一种磁场调控型光吸收装置，包括衬底和置于衬底上周期排布的光吸收单元，光吸收单元包括贵金属薄膜和磁性材料部，相邻光吸收单元的贵金属薄膜联通，贵金属薄膜中设有圆孔和矩形孔，矩形孔设置在圆孔的一侧，矩形部不和圆孔联通，磁性材料部设置在圆孔内。当外加磁场的作用下，磁性材料部的折射率发生变化，改变了圆孔附近介电环境，从而改变了圆孔附近的局域表面等离激元共振，实现了微纳结构的光吸收特性调控，便于针对不同波长的入射光进行吸收，拓宽了装置的应用范围。置的应用范围。置的应用范围。

【技术实现步骤摘要】
一种磁场调控型光吸收装置


[0001]本专利技术涉及光吸收
，具体涉及一种磁场调控型光吸收装置。

技术介绍

[0002]光吸收是指光进入吸光材料时，与吸光材料发生相互作用，光的电磁辐射能量部分地被转化其他形式能量的物理过程。通常地，光被吸收以后被转化为热，以热能的形式释放，形成了光热转化。
[0003]光吸收技术在光电检测、光电转换、红外探测、热电子产生、大气环境监测、海水淡化、电磁能量收集等诸多领域有着重要的应用。因此，提升材料的吸收性能，挖掘影响材料光吸收特性的因素，在科学研究和技术应用上均具有重要的意义。
[0004]近年来，研究人员应用微纳结构实现了较高的光吸收效率，特别是通过贵金属微纳结构的局域表面等离激元共振实现了强吸收。这些贵金属微纳结构也通常被称为超材料。研究人员广泛采用基于金属
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介质
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金属的微结构阵列，例如圆柱阵列、圆盘阵列、圆孔阵列、十字架阵列等，实现表面等离激元共振，以实现强吸收。例如，专利技术专利CN110196464A公开了一种金属/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁场调控型光吸收装置，其特征在于，包括衬底和置于所述衬底上周期排布的光吸收单元，所述光吸收单元包括贵金属薄膜和磁性材料部，相邻所述光吸收单元的贵金属薄膜联通，所述贵金属薄膜中设有圆孔和矩形孔，所述矩形孔设置在所述圆孔的一侧，所述矩形孔不和所述圆孔联通，所述磁性材料部设置在所述圆孔内。2.如权利要求1所述的磁场调控型光吸收装置，其特征在于：所述光吸收单元排布的周期为方形周期。3.如权利要求1所述的磁场调控型光吸收装置，其特征在于：所述矩形孔与所述圆孔之间的距离小于100纳米。4.如权利要求3所述的磁场调控型光吸收装置，其特征在于：所述矩形孔与所述圆孔之间的距离小于40纳米。5....

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：李国强，
类型：发明
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