用于处理基板的设备及用于处理基板的方法技术

本发明专利技术提供一种用于处理基板的设备及用于处理基板的方法。在示例性实施例中，用于处理基板的设备包括配置为支承基板且被设置为可旋转的支承构件、配置为选择性地在基板上供应高温的第一处理液以及高温的第二处理液的处理液喷嘴、以及配置为控制处理液喷嘴，使得处理液喷嘴先在基板上供应第一处理液，随后在基板上供应第二处理液的控制器。基板上供应第二处理液的控制器。基板上供应第二处理液的控制器。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的设备及用于处理基板的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月31日提交韩国知识产权局的、申请号为10
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2020
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0189425的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。


[0003]本专利技术是涉及用于处理基板的方法及用于处理基板的设备。

技术介绍

[0004]为了制造半导体装置或液晶显示器，在基板上进行诸如光刻、蚀刻、灰化、离子植入、薄膜沉积、清洗等各种工艺。其中，蚀刻工艺是移除形成在基板上的薄膜的非必要区域的工艺，且对于薄膜有高选择性与高蚀刻速度的要求。
[0005]一般而言，基板的蚀刻工艺或清洗工主要是借由化学处理步骤、润洗处理步骤以及干燥步骤依序进行。在化学处理步骤中，将化学品供应至基板上以蚀刻形成在基板上的薄膜或移除基板上的杂质，并在润洗步骤中，将诸如去离子水的润洗液供应至基板上。

技术实现思路

[0006]本专利技术提供了一种用于处理基板的设备及用于处理基板的方法，希望能够有效率地本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：支承构件，所述支承构件配置为支承所述基板且被设置为可旋转；处理液喷嘴，所述处理液喷嘴配置为选择性地在所述基板上供应高温的第一处理液以及高温的第二处理液；以及控制器，所述控制器配置为控制所述处理液喷嘴，使得所述处理液喷嘴先在所述基板上供应所述第一处理液，随后在所述基板上供应所述第二处理液。2.根据权利要求1所述的用于处理基板的设备，其中，所述基板为形成有氮化硅层与氧化硅层的状态。3.根据权利要求1所述的用于处理基板的设备，其中，所述第一处理液为磷酸与硅的混合液。4.根据权利要求1所述的用于处理基板的设备，其中，所述第二处理液为纯磷酸。5.根据权利要求1所述的用于处理基板的设备，所述设备还包括：第一处理液槽，所述第一处理液槽配置为储存所述第一处理液；第二处理液槽，所述第二处理液槽配置为储存所述第二处理液；第一液体供应管，所述第一液体供应管配置为借由连接所述第一处理液槽与所述处理液喷嘴，将储存在所述第一处理液槽中的所述第一处理液转移至所述处理液喷嘴；以及第二液体供应管，所述第二液体供应管配置为借由连接所述第二处理液槽与所述处理液喷嘴，将储存在所述第二处理液槽中的所述第二处理液转移至所述处理液喷嘴，其中，所述第一液体供应管与所述第二液体供应管被设置为使一个或多个区域彼此接触。6.根据权利要求5所述的用于处理基板的设备，其中，所述第一液体供应管与所述第二液体供应管被设置为与所述处理液喷嘴在一点上接触。7.根据权利要求5所述的用于处理基板的设备，其中，所述第一液体供应管包括：基于所述第一处理液从所述第一处理液槽供应至所述处理液喷嘴的流动，第一上游管设置在上游并与所述第一处理液槽连接，以及第一下游管设置在下游并与所述处理液喷嘴连接，以及其中，所述第二液体供应管包括：基于所述第二处理液从所述第二处理液槽供应至所述处理液喷嘴的流动，第二上游管设置在上游并与所述第二处理液槽连接，以及第二下游管设置在下游并与所述处理液喷嘴连接，其中，所述第一下游管与所述第二下游管被设置为彼此相互接触。8.根据权利要求7所述的用于处理基板的设备，其中，所述第一上游管被设置为具有第一加热器及阀，并且其中，所述第二上游管被设置为具有第二加热器及阀。9.根据权利要求8所述的用于处理基板的设备，其中，所述第一加热器对所述第一处理液以高温加热，以及其中，所述第二加热器对所述第二处理液以高温加热。10.根据权利要求8所述的用于处理基板的设备，
其中，所述第一加热器对所述第一处理液以160℃或更高的温度加热，以及其中，所述第二加热器对所述第二处理液以160℃或更高的温度加热。11.根据权利要求7所述的用于处理基板的设备，其中，所述处理液喷嘴包括第一喷嘴部及第二喷嘴部，其中，所述第一喷嘴部与所述第一液体供应管连接，以及其中，所述第二喷嘴部与所述第二液体供应管连接。12.根据权利要求1所述的用于处理基板的设备，所述设备还包括：去离子水(DIW)喷嘴，所述去离子水喷嘴配置为在所述基板上供应去离子水。13.根据权利要求12...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜玟沃，李映一，张奎焕，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：