半导体设备及其控制方法技术

本公开涉及半导体设备及其控制方法。一种半导体设备包括：闪速存储器，包括多个电可擦除存储器单元，并且被配置为输出指示擦除是否成功的验证结果信号；以及控制块，被配置为控制闪速存储器。控制块包括指示闪速存储器中的集体擦除范围的批量擦除范围控制电路。在擦除被执行之后，当验证结果信号VR指示对由批量擦除范围控制电路指定的第一范围中的扇区的擦除失败时，基于指定擦除失败的扇区的失败扇区地址、以及指定第一范围结束的结束扇区地址，计算擦除要被再次执行的第二范围，所指定的第二范围被设置到批量擦除范围控制电路，并且对第二范围中的扇区执行擦除。第二范围中的扇区执行擦除。第二范围中的扇区执行擦除。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备及其控制方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]2020年12月25日提交的日本专利申请号2020
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216102的公开内容，包括说明书、附图和摘要，通过引用以其整体并入本文。


[0003]本专利技术涉及一种半导体设备及其控制方法。特别地，本专利技术例如涉及一种被提供有存储器的半导体设备及其控制方法，该存储器能够通过使用预定数目的电可擦除存储器单元作为一个扇区来集体擦除(或批量擦除)多个扇区。

技术介绍

[0004]例如，专利文献1描述了被提供有多个电可擦除存储器单元的批量可擦除存储器作为闪速存储器。此外，专利文献1描述了用于集中擦除多个基本存储器块的批量擦除操作，每个基本存储器块具有多个存储器单元。
[0005]下面列出了公开的技术。
[0006][专利文献1]日本未审查专利申请公开号2008
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293654

技术实现思路

[0007]专利文献1中描述的基本存储器块(在下文中，也被称为“块”)例如由预先确定数目的电可擦除存储器单元构成，并且本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备，包括：存储器，被提供有多个电可擦除存储器单元，并且所述存储器被配置为输出指示擦除是否成功的验证结果信号；以及控制块，被配置为控制所述存储器，其中所述控制块包括批量擦除范围控制电路，所述批量擦除范围控制电路指示要在所述存储器中被集体擦除的范围，并且其中在擦除被执行之后，当所述验证结果信号指示对由所述批量擦除范围控制电路指定的第一范围中的扇区的擦除失败时，基于指定擦除失败的所述扇区的失败扇区地址、以及指定所述第一范围结束的结束扇区地址，指定擦除要被再次执行的第二范围，并且所指定的所述第二范围被设置到所述批量擦除范围控制电路，并且对所述第二范围中的扇区执行擦除。2.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述控制块包括：选择器，被配置为提供起始扇区地址和所述失败扇区地址，所述起始扇区地址指定所述第一范围的开始；以及切换电路，被配置为：基于所述验证结果信号，输出用于控制所述选择器的选择的选择信号。3.根据权利要求1所述的半导体设备，其中所述控制块被配置为：基于所述结束扇区地址和所述失败扇区地址来计算扇区地址，并且擦除作为所述第二范围的所述扇区地址，所述扇区地址指示可集体擦除的二次幂范围，所述二次幂范围包括擦除失败的所述扇区。4.根据权利要求3所述的半导体设备，其中所述控制块包括幂地址计算电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：早川雅文，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：