利用NAND缓冲器进行无DRAM的多级单元编程制造技术

可以通过内部缓冲器重复使用来对多级单元(MLC)非易失性(NV)介质进行编程，以减少对外部缓冲的需要。内部缓冲器与要编程的NV介质位于同一管芯上，并且与易失性存储器一起用于存储要编程的数据。内部缓冲器对用于NV介质的数据进行读取和编程。对NV介质进行编程包括将第一部分页暂存在缓冲器中用于编程，将第二部分页从NV介质读取到易失性存储器，将第二部分页存储在缓冲器中，以及使用第一部分页和第二部分页对NV介质进行编程。部分页对NV介质进行编程。部分页对NV介质进行编程。

【技术实现步骤摘要】
利用NAND缓冲器进行无DRAM的多级单元编程


[0001]描述一般地涉及非易失性存储器，更具体地涉及对多级单元非易失性存储器进行编程。

技术介绍

[0002]非易失性存储装置或非易失性存储器用于计算设备和游戏系统中的大容量存储。非易失性存储装置是指即使存储器的电力中断，也能保持确定状态的存储装置。设备的存储空间随着需求的增加而不断增加。在多级单元取代单级单元(SLC)的情况下，通过增加数据密度来实现容量的增加。多级单元可以包括每单元2位、3位、4位、甚至5位。
[0003]多级单元的编程比SLC慢。通常由易失性存储器辅助对多级单元进行编程。然而，添加用于对非易失性存储设备进行编程的易失性存储器设备会增加非易失性存储设备的成本。例如，QLC(四级单元)编程涉及对四页数据进行编程，这些数据传统上被缓存在DRAM(动态随机存取存储器)设备中，对于2TB(太字节)驱动器而言，该DRAM设备可能高达4MB(兆字节)。
[0004]存在用于三级单元(TLC)的无DRAM存储设备，该存储设备具有大约256KB(千字节)到384KB的管芯上易本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种装置，包括：非易失性(NV)介质，具有介质管芯上的多级单元阵列；所述介质管芯上的易失性存储器，用于存储对所述NV介质进行编程的数据；以及所述介质管芯上的缓冲器，用于缓冲用于所述NV介质的读取和编程数据；其中，所述NV介质的程序将第一部分页暂存在所述缓冲器中用于编程，将第二部分页从所述NV介质读取到所述易失性存储器，将所述第二部分页存储在所述缓冲器中，以及使用所述第一部分页和所述第二部分页对所述NV介质进行编程。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述NV介质的所述程序包括垃圾收集，以将数据从源介质移动到所述NV介质。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述源介质包括单级单元(SLC)闪存。4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述源介质包括三级单元(TLC)闪存、四级单元(QLC)闪存、或三维交叉点(3DXP)存储器中的一者。5.根据权利要求2所述的装置，其中，所述源介质包括动态随机存取存储器(DRAM)。6.根据权利要求1所述的装置，其中，将所述第二部分页读取到所述易失性存储器包括：对所述第二部分页执行错误检查和校正(ECC)。7.根据权利要求1所述的装置，其中，对所述NV介质进行编程包括：响应于加载用于在所述NV介质中进行编程的新地址，将所述第一部分页和所述第二部分页从所述缓冲器刷新到所述NV介质。8.根据权利要求1所述的装置，其中，对所述NV介质进行编程包括：响应于刷新命令，将所述第一部分页和所述第二部分页从所述缓冲器刷新到所述NV介质。9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述缓冲器包括用于所述NV介质的读/写寄存器。10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述NV介质包括四级单元(QLC)闪存。11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述NV介质包括三级单元(TLC)闪存、五级单元(5LC)闪存、或三维交叉点(3DXP)存储器中的一者。12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述易失性存储器包括静态随机存取存储器(SRAM)。13.一种计算设备，包括：主机处理器；以及固态驱动器(SSD)，耦合到所述主机处理器，所述SSD包括：非易失性(NV)介质，具有介质管芯上的多级单元阵列；所述介质管芯上的易失性存储器，用于存储对所述NV介质进行编程的数据；以及所述介质管芯上的缓冲器，用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：尚卡拉，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：