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利用NAND缓冲器进行无DRAM的多级单元编程制造技术
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文档序号:33908244
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可以通过内部缓冲器重复使用来对多级单元(MLC)非易失性(NV)介质进行编程,以减少对外部缓冲的需要。内部缓冲器与要编程的NV介质位于同一管芯上,并且与易失性存储器一起用于存储要编程的数据。内部缓冲器对用于NV介质的数据进行读取和编程。对N...
该专利属于英特尔公司所有,仅供学习研究参考,未经过英特尔公司授权不得商用。
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