存储器设备和存储器控制器以及包括其的存储设备制造技术

提供了被配置为修复弱字线的存储器设备和存储器控制器，以及操作包括存储器设备和存储器控制器的存储设备的方法。一种存储器设备，包括:包括多条正常字线和至少一条备用字线的存储器单元阵列；和修复控制器，被配置为将连接到至少一条弱字线的存储器单元设置为第一操作模式，并且还被配置为将连接到至少一条备用字线的存储器单元设置为第二操作模式。所述至少一条弱字线是基于测试结果、从正常字线当中检测的。线当中检测的。线当中检测的。

【技术实现步骤摘要】
存储器设备和存储器控制器以及包括其的存储设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年12月29日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
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0186779号韩国专利申请的优先权，该申请的全部内容通过引用结合于本文。


[0003]本专利技术构思涉及存储器控制器，并且更具体地，涉及被配置为修复弱(weak)字线的存储器设备和存储器控制器，以及包括该存储器设备和存储器控制器的存储设备。

技术介绍

[0004]电子设备，诸如电话、平板电脑、个人电脑等，通常需要内置的方式来存储数据。例如，电子设备可以包含存储器设备，该存储器设备包括用于存储数据的目的的存储器单元。在一些情况下，存储器设备内的电路可能具有一个或多个故障，从而阻止使用存储器设备内的一个或多个存储器单元。存储器设备的传统制造方法可以检测这些故障并丢弃废弃(dead)单元。
[0005]用于检测弱存储器单元的测试操作可以在存储器芯片的存储器单元阵列上执行。当每当检测到弱存储器单元而丢弃存储器芯片时，制造成品率可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括:存储器单元阵列，包括多条正常字线和至少一条备用字线；和修复控制器，被配置为将连接到正常字线当中的至少一条弱字线的存储器单元设置为第一操作模式，并且还被配置为将连接到所述至少一条备用字线的存储器单元设置为第二操作模式，其中，所述至少一条弱字线是基于测试结果来检测的。2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述至少一条弱字线包括多个弱存储器单元，其中，所述至少一条弱字线中的每一条中包括的弱存储器单元的数量大于或等于参考数量。3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述存储器单元阵列包括被配置为存储元数据的元区域，其中，修复控制器在所述元区域中存储所述至少一条弱字线的单元操作模式和所述至少一条备用字线的单元操作模式。4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中，所述存储器设备从存储器控制器接收命令，并且基于存储在元区域中的单元操作模式，响应于所述命令来执行操作。5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，在测试过程期间，连接到多条正常字线的存储器单元被设置为第三操作模式，第三操作模式被配置为写入(n+m)位数据，第一操作模式被配置为将n位数据写入连接到所述至少一条弱字线的存储器单元，第二操作模式被配置为将m位数据写入连接到所述至少一条备用字线的存储器单元，并且n和m两者是大于或等于1的自然数。6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中，第一操作模式是单级单元SLC模式，第二操作模式是多级单元MLC模式，并且第三操作模式是三级单元TLC模式。7.一种存储器控制器，被连接到包括多条正常字线和至少一条备用字线的存储器设备，其中存储器控制器被配置为:向存储器设备发送命令，当响应命令执行的操作失败时，检测正常字线中的至少一条为弱字线，将连接到弱字线的存储器单元设置为第一操作模式，以及将连接到所述至少一条备用字线的存储器单元设置为第二操作模式。8.根据权利要求7所述的存储器控制器，还包括缓冲器存储器，所述缓冲器存储器包括连接到弱字线的存储器单元的逻辑地址、物理地址和第一操作模式信息、并且所述缓冲器存储器还包括连接到所述至少一条备用字线的存储器单元的逻辑地址、物理地址和第二操作模式信息。9.根据权利要求8所述的存储器控制器，其中，所述存储器控制器被配置为向存储器设备发送修复复制命令，并且在连接到正常字线的存储器单元和连接到所述至少一条备用字线的存储器单元中的至少一个中存储现有数据，所述现有数据存储在连接到弱字线的存储
器单元中。10.根据权利要求9所述的存储器控制器，其中，所述存储器控制器被配置为响应于修复复制命令而从存储器设备接收现有数据，所述现有数据存储在连接到弱字线的存储器单元中，并且还被配置为将...

【专利技术属性】
技术研发人员：昔珍民，金钟和，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：