半导体存储器装置及其布局以及其局部救援方法制造方法及图纸

本申请涉及半导体存储器装置及其布局以及其局部救援方法。一种半导体存储器装置包括：多个平面，其限定在多个芯片区域中；以及救援电路，其被配置为禁用多个平面当中的故障平面并使能多个平面当中的正常平面，其中，半导体存储器装置仅用被使能的正常平面进行操作。体存储器装置仅用被使能的正常平面进行操作。体存储器装置仅用被使能的正常平面进行操作。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置及其布局以及其局部救援方法


[0001]各种实施方式总体上涉及半导体技术，并且更具体地，涉及半导体存储器装置及其局部救援方法。

技术介绍

[0002]半导体存储器装置是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)之类的半导体实现的存储器装置。半导体存储器装置通常分为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。
[0003]易失性存储器装置是当电源中断时其内所存储的数据丢失的存储器装置。易失性存储器装置的示例包括SRAM(静态RAM)、DRAM(动态RAM)和SDRAM(同步DRAM)。非易失性存储器装置是即使电源中断也保留其内所存储的数据的存储器装置。非易失性存储器装置的示例包括ROM(只读存储器)、PROM(可编程ROM)、EPROM(电可编程ROM)、EEPROM(电可擦除可编程ROM)、闪存、PRAM(相变RAM)、MRAM(磁RAM)、RRAM(电阻RAM)和FRAM(铁电RAM)。
[0004]使用非易失性存储器的装置的示例包括MP3播放器、数码相机、移动电话、便携式摄像机、闪存卡和固本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：多个平面，所述多个平面被限定在多个芯片区域中；以及救援电路，该救援电路被配置为禁用所述多个平面当中的故障平面并使能所述多个平面当中的正常平面，其中，所述半导体存储器装置仅用被使能的正常平面进行操作。2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：多个平面使能焊盘，所述多个平面使能焊盘分别对应于所述多个平面，其中，所述救援电路被配置为在测试模式下，分别响应于通过所述多个平面使能焊盘输入的多个平面使能信号而单独地使能所述多个平面中的每一个平面。3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：储存单元，该储存单元被配置为针对所述多个平面中的每一个平面存储相应的状态信号，所述状态信号是确定所述多个平面中的每一个平面中是否存在故障的测试的结果，其中，所述救援电路被配置为基于所述相应的状态信号独立地使能或禁用所述多个平面中的每一个平面。4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个芯片区域通过划线道彼此联接。5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：主焊盘区域，该主焊盘区域具有能够与外部装置接口连接的多个主焊盘；其中，所述多个芯片区域中的每一个包括具有多个子焊盘的子焊盘区域，并且所述多个子焊盘中的每一个通过重分配线联接到所述多个主焊盘中的相应一个主焊盘。6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述多个主焊盘是接合至多个外部联接构件的接合焊盘，并且其中，所述多个子焊盘是不接合至外部联接构件的非接合焊盘。7.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述多个子焊盘中的每一个的尺寸小于所述多个主焊盘中的每一个的尺寸。8.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：密封区域，该密封区域被设置为围绕所述多个芯片区域和所述主焊盘区域。9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，所述多个平面设置在单元晶圆上，而所述救援电路设置在外围晶圆上，该外围晶圆在垂直方向上安置到所述单元晶圆。10.一种包括多个平面的半导体存储器装置的救援方法，该救援方法包括以下步骤：通过针对故障单独地测试所述多个平面中的每一个平面，获得指示所述多个平面中的每一个平面中是否存在故障的所述多个平面中的每一个平面的状态信号；以及基于所述多个平面中的每一个平面的状态信号来控制所述多个平面中的每一个平面是否被使能，使得故障平面被禁用并且正常平面被使能。11.根据权利要求10所述的救援方法，其中，控制所述多个平面中的每一个平面是否被使能的步骤包括以下步骤：接收与所述多个平面当中的要被访问的平面相...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴星来，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：