【技术实现步骤摘要】
竖直存储器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本公开要求于2020年12月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0184668的优先权，其全部内容通过引用并入本文中。
[0003]本公开涉及竖直存储器件，更具体地涉及具有稳定结构的竖直存储器件。
技术介绍
[0004]近来已经开发出了存储单元竖直堆叠在衬底表面上的竖直存储器件。随着竖直存储器件中堆叠的存储单元的数量增加，形成具有稳定结构的存储单元变得更加困难。
技术实现思路
[0005]本专利技术构思的实施例提供了一种竖直存储器件，包括单元堆叠结构、支撑结构和单元接触插塞。单元堆叠结构包括衬底上的栅极图案和绝缘层。栅极图案在垂直于衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开，并且绝缘层在竖直方向上位于栅极图案之间。栅极图案在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸，并且栅极图案沿第一方向的边缘为台阶形状的台阶部分。支撑结构穿过单元堆叠结构并穿过栅极图案之一的台阶部分中的一台阶部分。支撑...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种竖直存储器件，包括：单元堆叠结构，包括衬底上的栅极图案和绝缘层，所述栅极图案在垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开，所述绝缘层在竖直方向上位于所述栅极图案之间，所述栅极图案在平行于所述衬底的上表面的第一方向上延伸并且所述栅极图案沿第一方向的边缘为台阶形状的台阶部分；支撑结构，穿过所述单元堆叠结构并穿过所述栅极图案之一的所述台阶部分中的一台阶部分，所述支撑结构包括杯状的第一间隔物层、第一金属图案和填充所述第一间隔物层的内部空间的第二金属图案，每个所述第一金属图案具有围绕所述第一间隔物层的外壁的环状；以及单元接触插塞，分别在所述栅极图案的所述台阶部分上，其中，所述第一金属图案分别设置于所述栅极图案中的相应栅极图案的竖直高度处，并且每个所述第一金属图案的侧壁与所述栅极图案中的每个相应栅极图案的侧壁相邻。2.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中，所述支撑结构填充穿过所述单元堆叠结构的虚设沟道孔并填充与所述虚设沟道孔的侧壁连接的间隙，所述间隙在竖直方向上彼此间隔开，并且所述第一金属图案在所述间隙中，以及所述第一间隔物层在所述虚设沟道孔的侧壁上和底部上，并在所述第一金属图案的侧壁上。3.根据权利要求2所述的竖直存储器件，其中，所述虚设沟道孔的上直径大于所述虚设沟道孔的下直径，并且所述虚设沟道孔的直径从所述虚设沟道孔的顶部到所述虚设沟道孔的底部逐渐减小。4.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中，所述栅极图案的所述台阶部分的竖直厚度大于所述栅极图案的延伸部分的竖直厚度，所述延伸部分为被所述台阶部分中叠置于上方的台阶部分覆盖的未暴露部分。5.根据权利要求4所述的竖直存储器件，其中，与所述栅极图案的台阶部分相邻的第一金属图案的竖直厚度大于所述栅极图案的台阶部分下方的第一金属图案的竖直厚度。6.根据权利要求1所述的竖直存储器件，还包括阻挡层，所述阻挡层包括围绕每个所述栅极图案的表面的金属氧化物，所述阻挡层在所述第一金属图案的侧壁和与所述第一金属图案的侧壁相邻的栅极图案的侧壁之间。7.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中，所述单元接触插塞的底部接触所述栅极图案的台阶部分，或接触所述栅极图案的台阶部分以及与所述栅极图案的台阶部分相邻的第一金属图案的上表面。8.根据权利要求1所述的竖直存储器件，还包括穿过所述单元堆叠结构而不穿过所述栅极图案的台阶部分的沟道结构，其中所述沟道结构的上表面与所述支撑结构的上表面不共面。9.根据权利要求1所述的竖直存储器件，还包括与所述单元堆叠结构间隔开并在竖直方向上延伸的通孔接触部，其中，所述通孔接触部的上表面与所述支撑结构的上表面共面，并且所述通孔接触部的下表面与所述支撑结构的下表面不共面。10.根据权利要求1所述的竖直存储器件，其中，所述第一金属图案在所述第一间隔物
层的外壁上在竖直方向上彼此间隔开，并且所述第一金属图案从所述第一间隔物层的外壁突出而在横截面图中具有梳状。11.一种竖直存储器件，包括：衬底上的电路图案，所述衬底包括第一区域、第二区域、第三区域；单元堆叠结构，在所述第一区域和所述第二区域上的所述电路图案上方，所述单元堆叠结构包括栅极图案和绝缘层，所述栅极图案在垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上彼此间隔开，所述绝缘层在竖直方向上位于所述栅极图案之间，所述栅极图案在平行于所述衬底的上表面的第一方向上延伸并且所述栅极图案沿第一方向的边缘为台阶形状的台阶部分；沟道结构，穿过所述第一区域中的所述单元堆叠结构；支撑结构，穿过所述第二区域中的所述单元堆叠结构并穿过所述栅极图案之一的所述台阶部分中的一台阶部分，所述支撑结构包括杯状的第一间隔物层、第一金属图案和填充所述第一间隔物层的内部...
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