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竖直存储器件包括衬底上的单元堆叠结构、支撑结构和单元接触插塞。单元堆叠结构包括在竖直方向上彼此间隔开的栅极图案和栅极图案之间的绝缘层。栅极图案在第一方向上延伸，并且栅极图案沿第一方向的边缘包括台阶形状的台阶部分。支撑结构穿过单元堆叠结构和栅...
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