半导体器件和半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及微电子技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体层、金属电极和金属连接层，半导体层位于衬底的一侧，金属电极位于半导体层远离衬底的一侧，金属电极包括源极，金属连接层位于源极远离衬底的一侧，并与源极连接，通过隔离结构将金属连接层分隔成至少两个金属连接块，使得在沉积形成金属连接层的过程中，位于金属连接层一侧多余金属能够与隔离结构处对应的金属沉积物连接，并且使得待剥离金属沉积物面积更大，从而使得多余金属的剥离更加容易，且剥离过程更加安全，不会破坏场板结构和金属连接层，降低了金属连接层和场板结构的制作工艺难度，提高了制作效率。提高了制作效率。提高了制作效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和半导体器件的制备方法


[0001]本专利技术涉及微电子
，具体而言，涉及一种半导体器件和半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]半导体材料氮化镓由于具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、导热性能好等特点，已经成为目前的研究热点。在电子器件方面，氮化镓材料比硅和砷化镓更适合于制造高温、高频、高压和大功率器件，因此氮化镓基电子器件具有很好的应用前景。
[0003]一般在半导体器件中，在源极金属电极上通常设置有导电互联金属层，用于连接其他外部结构，例如连接场板结构，场板结构常被用来调节电场，在工艺制造时，如何设计和布局导电金属层、场板和周围结构的关系，会密切影响器件的可靠性和稳定性，同时也会影响到工艺制造的难度。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的包括，例如，提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，其能够匹配场板结构，并且降低工艺难度，提高制作效率。
[0005]本专利技术的实施例可以这样实现：
[0006]第一方面，本专利技术提供一种半导体器件，包括：
[本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底一侧的半导体层；位于所述半导体层远离所述衬底一侧的金属电极，所述金属电极包括源极；以及，位于所述源极远离所述衬底的一侧，并与所述源极连接的金属连接层；其中，所述金属连接层上设置有隔离结构，所述隔离结构将所述金属连接层分隔成至少两个金属连接块。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构呈镂空状，或者填充有介质材料。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构包括至少两个分隔线部，至少两个所述分隔线部相交，并将所述金属连接层分隔成至少两个所述金属连接块。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，每个所述分隔线部均延伸至所述金属连接层的边缘。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，每个所述分隔线部的宽度大于或者等于2微米。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括介质层，所述介质层位于所述半导体层远离所述衬底的一侧，至少两个所述金属连接块与所述介质层连接。7.根据权利要求1
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6任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴轶，宋晰，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：