【技术实现步骤摘要】
一种具有阵列浮空岛结构的氮化镓肖特基二极管器件
[0001]本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及一种具有阵列浮空岛结构的氮化镓肖特基二极管器件。
技术介绍
[0002]随着以GaN和SiC为代表的第三代半导体材料的发展，基于AlGaN/GaN异质结的SBD(SchottkyBarrierDiode，肖特基势垒二极管)器件被广泛应用，其异质结界面因极化效应产生的正极化电荷形成高迁移率的二维电子气2DEG，使得SBD器件在正向导通时具有较大的正向电流；但是SBD器件在反向偏置时，由于器件在耗尽层中的边缘电场集中效应，使得其击穿电压远小于理论的反向击穿电压。
[0003]目前，主要采用在两个金属电极之间淀积形成浮空金属环结构和场板结构，提高SBD器件的反向击穿电压。例如2019年12月22日公开的，公开号为CN110364574A的专利技术专利《基于P
‑
GaN帽层和浮空金属环的AlGaN/GaN异质结肖特基二极管器件》，其采用场板结构和浮空金属环结构相结合的方式，在器件反向偏置时，利用浮空金属环的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种具有阵列浮空岛结构的氮化镓肖特基二极管器件，其特征在于，包括衬底和依次设置于衬底上的GaN缓冲层、AlGaN势垒层、钝化层，所述钝化层的两侧分别设置有阳极金属和阴极金属，所述阳极金属和所述阴极金属之间的AlGaN势垒层上间隔设置有若干个阵列浮空岛结构，且沿所述阳极金属至所述阴极金属方向及所述阳极金属或所述阴极金属的延伸方向，均设置有若干个阵列浮空岛结构，相邻的两个阵列浮空岛结构均设置有间隔距离；所述阵列浮空岛结构包括P型帽层和浮空金属岛；所述AlGaN势垒层的未被阵列浮空岛结构覆盖的部分和所述阵列浮空岛的除浮空金属岛上表面的部分均由所述钝化层覆盖。2.如权利要求1所述的一种具有阵列浮空岛结构的氮化镓肖特基二极管器件，其特征在于，沿所述阳极金属至所述阴极金属方向，第一个阵列浮空岛结构与所述阳极金属间隔开，最后一个阵列浮空岛结构与所述阴极金属间隔开。3.如权利要求1所述的一种具有阵列浮空岛结构的氮化镓肖特基二极管器件，其特征在于，同一阵列浮空岛结构中，浮空金属岛位于靠近所述阳极一侧的AlGaN势垒层上，P型帽层位于靠近所述阴极一侧的AlGaN势垒层上。4.如权利要求3所述的一种具有阵列浮空岛结构的氮化镓肖特基二极管器件，其特征在于，所述浮空金属岛包括与AlGaN势垒层接触的第一延伸端和朝向所述阴极金属延伸的浮空端...
【专利技术属性】
技术研发人员：白俊春，平加峰，程斌，王晨宁，
申请(专利权)人：江苏晶曌半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。