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本发明公开了一种具有阵列浮空岛结构的氮化镓肖特基二极管器件，包括衬底和依次设置于衬底上的GaN缓冲层、AlGaN势垒层、钝化层，所述钝化层的两侧分别设置有阳极金属和阴极金属，所述阳极金属和所述阴极金属之间的AlGaN势垒层上间隔设置有若干个...
该专利属于江苏晶曌半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏晶曌半导体有限公司授权不得商用。

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