半导体器件和半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及微电子技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体外延层、金属电极、源场板和金属互联层，半导体外延层位于衬底一侧，金属电极包括源极、栅极和漏极，且源极、栅极和漏极均位于半导体外延层远离衬底一侧，源场板位于栅极远离衬底的一侧，并与栅极间隔设置，其中，栅极和源场板之间形成介质空间，源场板和金属互联层一体设置。本发明专利技术使得金属互联层和源场板能够一体成型，相较于现有的分体结构，使得器件结构更加简单，并且简化了工艺步骤，节约了生产成本，提升了生产效率。提升了生产效率。提升了生产效率。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和半导体器件的制备方法


[0001]本专利技术涉及微电子
，具体而言，涉及一种半导体器件和半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]半导体材料氮化镓由于具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、导热性能好等特点，已经成为目前的研究热点。在电子器件方面，氮化镓材料比硅和砷化镓更适合于制造高温、高频、高压和大功率器件，因此氮化镓基电子器件具有很好的应用前景。
[0003]工作在高漏源电压下的HEMT(High Electron Mobility Transistor，高电子迁移率晶体管)器件，其栅极靠近漏端一侧附近会形成一个高电场尖峰，这种局部区域的高电场可以引起非常大的栅极泄露电流，甚至导致材料击穿，器件失效，进而影响器件工作可靠性，降低器件寿命，使得HEMT器件高温、高压、高频的优势不能充分发挥。所以，在实际器件的结构设计和工艺研发中，人们总会采取各种方法降低器件栅极附近的强电场以提高器件的击穿电压并获得优良的可靠性。
[0004]目前广泛使用的方法是采用场板结构，即在栅极靠近漏端一侧放置一个场板，场板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底一侧的半导体外延层；位于所述半导体外延层远离所述衬底一侧的源极、栅极和漏极；位于所述栅极远离所述衬底的一侧，并与所述栅极间隔设置的源场板；以及，位于所述源极远离所述衬底的一侧，并与所述源极连接的金属互联层；其中，所述栅极和所述源场板之间形成介质空间，所述源场板和所述金属互联层一体设置。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述金属互联层上设置有隔离结构，所述隔离结构将所述金属互联层分隔成至少两个金属导电块，至少一个所述金属导电块与所述源场板一体设置。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构包括至少两个分隔线部，至少两个所述分隔线部相交，并将所述金属互联层分隔成至少两个金属导电块。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，每个所述分隔线部均延伸至所述金属互联层的边缘。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述源场板和所述金属互联层之间还一体设置有多个连接金属桥，相邻的所述连接金属桥之间设置有至少一个所述分隔线部。6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离结构呈镂空状，或者填充有介质材料。7.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，每相邻两个所述金属导电块之间的距离大于或者等于2微米。8.根据权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：裴轶，宋晰，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：