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本发明的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及微电子技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体外延层、金属电极、源场板和金属互联层，半导体外延层位于衬底一侧，金属电极包括源极、栅极和漏极，且源极、栅极和漏极均位于半导体外延层远离...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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