一种硅胶保护膜的硅转移测试方法技术

本发明专利技术公开了一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，涉及硅转移测试方法技术领域，包括以下步骤：取两块硅胶保护膜样品的试样G1、G2；取塑料薄膜试样P1、P2、P3；揭去G1、G2上的保护层，将其分别贴附于P1和P2上，静置，分别标记为GP1、GP2；其中，GP1、GP2对应的静置时间分别记为T1、T2，T1≠T2；取胶带a、b、c；将P1从GP1上揭下，与a胶带贴附，静置，施加作用力F1使其分离；将P2从GP2上揭下，与b胶带贴附，静置，施加作用力F2使其分离；将胶带c贴附于P3上，静置，施加作用力F3使其分离；T1的硅转移率P1＝(1

【技术实现步骤摘要】
一种硅胶保护膜的硅转移测试方法


[0001]本专利技术涉及硅转移测试方法
，尤其涉及一种硅胶保护膜的硅转移测试方法。

技术介绍

[0002]硅胶压敏胶通常由硅橡胶、有机硅树脂、交联剂等成分组成。与其他三种传统压敏胶相比，硅压敏胶具有优异的耐化学性、耐水性、耐油性、耐溶剂性、耐高温性、耐低温性、耐热性、抗氧化性、降解性等性能，可与未表面处理的聚烯烃(BOPP、PET、PE等)、氟塑料、聚酰亚胺等多种非粘结材料粘接。
[0003]硅胶保护膜是一款主要应用于保护电子产品的屏幕保护膜，由基材层、硅胶压敏层和保护层组成。硅胶保护膜在后续转移工艺过程中容易在在离型层界面存在残留物，且残留的含硅材料易造成硅污染，所以衍生了各种检测硅转移的测试方法。
[0004]现如今测试硅转移的方法存在测试数据准确率低、重复性差的缺点，严重影响测试效果。

技术实现思路

[0005]基于
技术介绍
存在的技术问题，本专利技术提出了一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，该方法简单、可同时进行多组重复性测试，测试准确度高。
[0006]本专利技术提出的一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，包括以下步骤：
[0007]S1、取硅胶保护膜样品，裁取两块面积形状相等的试样，标记为G1、G2；其中，硅胶保护膜的结构从下到上依次由基材层、硅胶压敏层和保护层组成；
[0008]S2、取塑料薄膜，裁取三块面积形状相等的试样，标记为P1、P2、P3；
[0009]S3、揭去硅胶保护膜G1、G2上的保护层，将硅胶压敏层分别贴附于P1和P2上，施加作用力使其紧密贴合，静置，分别标记为GP1、GP2；其中，GP1的静置时间记为T1，GP2中的静置时间记为T2，T1≠T2；
[0010]S4、截取3段宽度、长度和厚度一致的胶带，标记为胶带a、b、c；
[0011]S5、将P1从静置后的GP1上揭下，揭下来的P1标记为P1'，将a胶带贴附于P1'揭除面上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间记为T3，从胶带a一端施加作用力使胶带与P1'分离，施加的作用力记作F1；按照同样的方法将P2从静置后的GP2上揭下，揭下来的P2标记为P2'，将b胶带贴附于P2'揭去面上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间记为T4，从胶带b一端施加作用力使胶带与P2'分离，施加的作用力记作F2；
[0012]S6、将胶带c贴附于P3上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间记为T5，从胶带c一端施加作用力使胶带与P3分离，施加的作用力记作F3；其中，T3＝T4＝T5；
[0013]S7、设置范围并计算转移率P，其中静置时间T1的硅转移率P1＝(1
‑
F1/F3)
×
100％，静置时间T2的硅转移率P2＝(1
‑
F2/F3)
×
100％，硅胶保护膜的硅转移率P＝(P1+P2)/2；
[0014]上述步骤S3、S5、S6中，紧密贴合施加的作用力相同。
[0015]优选地，S7中，当P≤10％时，视为低硅转移；P>10％时，视为高硅转移。
[0016]优选地，S1中，基材层的材质为包括BOPP、BOPET、BOPA、PET、PE、PC、TAC、PP、PS、PMMA、TPU、PI、PVB、PVC中的一种。
[0017]优选地，S1中，保护层的材质为包括BOPP、BOPET、BOPA、PET、PE、PC、TAC、PP、PS、PMMA、TPU、PI、PVB、PVC、非硅保护膜、氟素离型膜中的一种。
[0018]优选地，S1中，基材层的厚度为10～360μm，硅胶压敏层厚度为10～1000μm，保护层厚度为10～360μm。
[0019]优选地，S2中，塑料薄膜的材质为包括PE、PET、CPP、PVC、OPP中的一种；优选地，PET薄膜的厚度为150～360μm。
[0020]优选地，S2中，静置时间T1为0.5～12h；优选地，静置时间T2为12～24h。
[0021]优选地，S5中，静置时间T3＝T4＝T5，为20～40min。
[0022]有益效果：本专利技术提出了一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，方法简单、成本低，可以同时进行多组重复性测试，从而测试结果误差小，准确值能大幅度提高，适用性范围广，测试时间快。该测试方法安全、对人体无害、无危险性、无刺激性。
具体实施方式
[0023]下面，通过具体实施例对本专利技术的技术方案进行详细说明。
[0024]实施例1
[0025]一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，包括以下步骤：
[0026]S1、取硅胶保护膜样品，裁取两块面积形状相等的试样，标记为G1、G2；其中，硅胶保护膜的结构从下到上依次由基材层、硅胶压敏层和保护层组成，各层厚度依次为50μm、200μm、50μm，基材层和保护层的材质都为PET；
[0027]S2、取PET塑料薄膜，厚度为150μm，裁取三块面积形状相等的试样，标记为P1、P2、P3；
[0028]S3、揭去硅胶保护膜G1、G2上的保护层，将硅胶压敏层分别贴附于P1和P2上，施加4kg作用力使其紧密贴合，静置，分别标记为GP1、GP2；其中，GP1的静置时间T1＝0.5h，GP2中的静置时间记为T2＝24h；
[0029]S4、截取3段宽度、长度和厚度一致的胶带，标记为胶带a、b、c；
[0030]S5、将P1从静置后的GP1上揭下，揭下来的P1标记为P1'，将a胶带贴附于P1'揭除面上，施加4kg作用力其紧密贴合，静置，静置时间T3＝20min，从胶带a一端施加作用力使胶带与P1'分离，施加的作用力记作F1；按照同样的方法将P2从静置后的GP2上揭下，揭下来的P2标记为P2'，将b胶带贴附于P2'揭去面上，施加4kg作用力使其紧密贴合，静置，静置时间T4＝20min，从胶带b一端施加作用力使胶带与P2'分离，施加的作用力记作F2；
[0031]S6、将胶带c贴附于P3上，施加4kg作用力使其紧密贴合，静置，静置时间T5＝20min，从胶带c一端施加作用力使胶带与P3分离，施加的作用力记作F3；
[0032]S7、设置范围并计算转移率P，其中静置时间T1的硅转移率P1＝(1
‑
F1/F3)
×
100％＝(1
‑
883.835/889.01)
×
100％＝0.58％，静置时间T2的硅转移率P2＝(1
‑
F2/F3)
×
100％＝(1
‑
830.535/889.01)
×
100％＝6.58％，硅胶保护膜的硅转移率P＝(P1+P2)/2＝3.58％；
[0033]P<10％，视为低硅转移。
[0034]实施例2
[0035]一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，包括以下步骤：
[0036]S1、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅胶保护膜的硅转移测试方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、取硅胶保护膜样品，裁取两块面积形状相等的试样，标记为G1、G2；其中，硅胶保护膜的结构从下到上依次由基材层、硅胶压敏层和保护层组成；S2、取塑料薄膜，裁取三块面积形状相等的试样，标记为P1、P2、P3；S3、揭去硅胶保护膜G1、G2上的保护层，将硅胶压敏层分别贴附于P1和P2上，施加作用力使其紧密贴合，静置，分别标记为GP1、GP2；其中，GP1的静置时间记为T1，GP2中的静置时间记为T2，T1≠T2；S4、截取3段宽度、长度和厚度一致的胶带，标记为胶带a、b、c；S5、将P1从静置后的GP1上揭下，揭下来的P1标记为P1'，将a胶带贴附于P1'揭除面上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间记为T3，从胶带a一端施加作用力使胶带与P1'分离，施加的作用力记作F1；按照同样的方法将P2从静置后的GP2上揭下，揭下来的P2标记为P2'，将b胶带贴附于P2'揭去面上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间记为T4，从胶带b一端施加作用力使胶带与P2'分离，施加的作用力记作F2；S6、将胶带c贴附于P3上，施加作用力使其紧密贴合，静置，静置时间记为T5，从胶带c一端施加作用力使胶带与P3分离，施加的作用力记作F3；其中，T3＝T4＝T5；S7、设置范围并计算转移率P，其中静置时间T1的硅转移率P1＝(1
‑
F1/F3)
×
100％，静置时间T2的硅转移率P2＝(1
‑
F2/F3)

【专利技术属性】
技术研发人员：施克炜，何运校，张结勤，鲁曼曼，王斌，
申请(专利权)人：太湖金张科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：