一种晶体生长控制方法以及装置、晶体生长设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种晶体生长控制方法以及装置、晶体生长设备，涉及晶体拉制技术领域，以提供一种在提拉生长晶体的过程中，形成电池端所需形状晶体的技术方案。包括：在提拉生长晶体的过程中，实时获取晶体的生长图像，并从生长图像中提取晶体在生长界面处的形状信息。其中，生长界面为晶体与原料熔体液面相交处；将晶体在生长界面处的形状信息，与预设形状的形状信息进行对比，获得对比结果。基于对比结果，利用激光器调整晶体在生长界面处的形状。利用激光器调整晶体在生长界面处的形状。利用激光器调整晶体在生长界面处的形状。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长控制方法以及装置、晶体生长设备


[0001]本专利技术涉及晶体拉制
，尤其涉及一种晶体生长控制方法以及装置、晶体生长设备。

技术介绍

[0002]在光伏行业，大多采用直拉单晶制造法拉制单晶硅棒。但目前直拉单晶制造法只能生长主体为圆柱形的硅棒。后续在利用单晶硅棒制作太阳能电池时，需要将圆柱形的硅棒依次经过切断工序、切方工序和切片工序形成硅片，供电池端使用。其中，切方工序中将现有的圆柱形硅棒切掉四个弓形的边皮，获得正方形或者近似正方形的结构。一方面，切方加工增加了太阳能电池用硅片的加工工序。另一方面，边皮的回炉再利用会导致拉晶环节综合成本的提升。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种晶体生长控制方法以及装置、晶体生长设备，以提供一种在提拉生长晶体的过程中，形成电池端所需形状晶体的技术方案。
[0004]第一方面，本专利技术提供了一种晶体生长控制方法，生长的至少部分晶体的截面具有预设形状，晶体生长控制方法包括：在提拉生长晶体的过程中，实时获取晶体的生长图像，并从生长图像中提取晶体在生长界面处本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长控制方法，生长的至少部分所述晶体的截面具有预设形状，其特征在于，所述晶体生长控制方法包括：在提拉生长晶体的过程中，实时获取所述晶体的生长图像，并从所述生长图像中提取所述晶体在生长界面处的形状信息；其中，所述生长界面为所述晶体与原料熔体液面相交处；将所述晶体在生长界面处的形状信息，与所述预设形状的形状信息进行对比，获得对比结果；基于所述对比结果，利用激光器调整所述晶体在所述生长界面处的形状。2.根据权利要求1所述的晶体生长控制方法，其特征在于，在提拉生长晶体的过程中，所述晶体相对于所述原料熔体沿第一方向转动，利用激光器调整所述晶体在所述生长界面处的形状时，所述激光器发射的激光照射所述晶体的生长界面。3.根据权利要求2所述的晶体生长控制方法，其特征在于，在提拉生长晶体的过程中，所述晶体在所述生长界面处具有第一轮廓；所述预设形状具有第二轮廓；所述基于所述对比结果，利用激光器调整所述晶体在所述生长界面处的形状包括：基于所述对比结果，控制所述激光器以激光移动路径照射所述晶体的生长界面，以利用激光器调整所述晶体在所述生长界面处的形状；其中，所述激光移动路径为，在所述生长界面处，沿所述晶体的径向，位于所述第一轮廓与所述第二轮廓之间。4.根据权利要求3所述的晶体生长控制方法，其特征在于，所述激光移动路径包括：在所述生长界面处，沿所述晶体的径向，从第一轮廓至第二轮廓；和/或，所述激光移动路径包括：在所述生长界面处，沿所述晶体的径向，从第二轮廓至第一轮廓。5.根据权利要求2
‑
4任一项所述的晶体生长控制方法，其特征在于，所述原料...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐战军，周锐，李侨，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：