【技术实现步骤摘要】
一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管
[0001]本专利技术涉及量子点发光二极管领域,尤其涉及一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管。
技术介绍
[0002]量子点发光二极管(QLED)是由阴极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阳极构成的结构,当外加电压时,电子和空穴分别从各自电极注入,两者复合发光。QLED由于其光谱在可见光区连续可调,宽吸收窄发射、高的色纯度和发光强度等优异性能得到越来越多的关注。
[0003]ZnO是一种常见的
Ⅱ‑Ⅵ
半导体化合物,其材料的禁带宽度可达3.34eV,具有光电性能协调性,是一种理想的电子传输层材料。以电子传输层材料
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ZnO基纳米晶作为QLED器件的载流子传输材料得到广泛的研究。
[0004]在氧化锌应用过程中,无机纳米氧化锌颗粒需要分散到有机基体中,但常因以下原因引起无机纳米粒子的团聚:(1)分子间力、氢键、静电作用等引起的颗粒聚集;(2)由于颗粒间的量子隧道效应、电荷转移和界面原子的相互耦合,使微粒极易通过界面发生相互 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种复合材料的制备方法,其特征在于,包括步骤:将吡咯与阳离子表面活性剂混合,得到第一混合液;将碱性化合物分散到有机醇溶剂中,得到碱液;将所述碱液加入到锌盐溶液中混合,再加入所述第一混合液混合,最后加入氧化剂混合,反应制得所述复合材料。2.根据权利要求1所述复合材料的制备方法,其特征在于,所述阳离子表面活性剂为硬脂基三甲基氯化铵、甲苯磺酸十六烷基三甲基铵、辛基三甲基氯化铵、二十二碳烯基二(羟乙基)甲基氯化铵、二十二碳烯基三甲基氯化铵、十六烷基三甲基氯化铵、十六烷基三甲基溴化铵、十四烷基三甲基氯化铵、十四烷基三甲基溴化铵、十二烷基三甲基氯化铵、十二烷基三甲基溴化铵、癸基三甲基氯化铵和癸基三甲基溴化铵中的一种或多种。3.根据权利要求1所述复合材料的制备方法,其特征在于,所述将吡咯加入至阳离子表面活性剂的步骤中,所述阳离子表面活性剂与所述吡咯的摩尔比为1:0.5
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8。4.根据权利要求1所述复合材料的制备方法,其特征在于,所述氧化剂为过硫酸铵或过硫酸钠。5.根据权利要求1所述复合材料...
【专利技术属性】
技术研发人员:李俊杰,张天朔,郭煜林,童凯,
申请(专利权)人:TCL科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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