一种量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述制备方法包括步骤：在预制器件上沉积量子点溶液，所述量子点溶液包括有机溶剂以及分散在有机溶剂中的量子点材料；采用γ射线对所述量子点溶液进行辐照处理，在预制器件上形成量子点发光层。本发明专利技术通过对量子点发光层进行γ射线辐照处理，可以有效提升量子发光二极管的光电性能，并提升量子点发光二极管的性能测试的效率。极管的性能测试的效率。极管的性能测试的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及量子点发光二极管领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管(Quantum Dots Light
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Emitting Diode，QLED)是一种新型的显示器件，其结构与有机发光显示器(Organic Light
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Emitting Diode，OLED)相似，是由阴极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阳极构成的结构，当外加电压时，电子和空穴分别从各自电极注入，两者复合发光。QLED是一项介于液晶和OLED之间的新型技术，QLED核心技术为“Quantum Dot(量子点)”，量子点是一种粒子直径不足10nm的颗粒，由锌、镉、硫、硒原子组成。这种物质有一个极其特别的性质：当量子点受到光电刺激时，就会发出有色的光线，颜色是由组成量子点的材料和它的大小、形状决定。因为它有这种特性，所以能够改变光源发出的光线的颜色。量子点的发光波长范围非常窄，颜色又比较的纯粹，还可以调节，因此量子点显示器的画面会比液晶显示器的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：在预制器件上沉积量子点溶液，所述量子点溶液包括有机溶剂以及分散在有机溶剂中的量子点材料；采用γ射线对所述量子点溶液进行辐照处理，在预制器件上形成量子点发光层。2.根据权利要求1所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述采用γ射线对所述量子点溶液进行辐照处理的步骤中，辐照强度为5
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15Gy。3.根据权利要求1所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述采用γ射线对所述量子点溶液进行辐照处理的步骤中，辐照剂量率为1
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1.5Gy/s。4.根据权利要求1所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述量子点材料为II
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VI族化合物、III
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V族化合物、II
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V族化合物、III
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VI化合物、IV
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VI族化合物、I
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III
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VI族化合物、II
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IV
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VI族化合物或IV族单质中的一种或多种。5.根据权利要求4所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述量子点材料为非掺杂的无机钙钛矿型半导体、掺杂的无机钙钛矿型半导体或有...

【专利技术属性】
技术研发人员：敖资通，张建新，严怡然，杨帆，赖学森，洪佳婷，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：