载流子传输薄膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法技术

本申请涉及显示器件技术领域，提供了一种流子传输薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供基板；在所述基板上制备由N层堆叠的金属氧化物半导体层组成的载流子传输薄膜；其中，每层所述金属氧化物半导体层的制备步骤包括：先沉积金属氧化物半导体材料，然后用电子束扫描退火；N为正整数，N≥2。该制备方法可以改善载流子传输薄膜的微观形貌，降低载流子传输薄膜的粗糙度，使膜层更佳平整，而且膜层结晶度得到提高，分子排列更佳有序，最终提高了载流子迁移率。移率。移率。

【技术实现步骤摘要】
载流子传输薄膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法


[0001]本申请属于显示器件
，尤其涉及一种载流子传输薄膜的制备方法和量子点发光二极管的制备方法。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管(Quantum Dots Light
‑
Emitting Diode，QLED)是一种新兴的显示器件，其结构与有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode，OLED)相似，具有三明治结构，其发光层由量子点(Quantum Dot，QD)组成。量子点是一种粒子直径不足10nm的颗粒，这种物质有一个极其特别的性质：当量子点受到光电刺激时，就会发出有色的光线，颜色是由组成量子点的材料和它的大小、形状决定。因为它有这种特性，所以能够改变光源发出的光线的颜色。量子点的发光波长范围非常窄，颜色又比较的纯粹，还可以调节，因此量子点显示器的画面会比液晶显示器的画面更加的清晰明亮。
[0003]相对于有机荧光染料，胶体法制备的量子点具有光谱可调，发光强度大、色纯度高、荧光寿命长，单光源可激发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种载流子传输薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基板；在所述基板上制备由N层堆叠的金属氧化物半导体层组成的载流子传输薄膜；其中，每层所述金属氧化物半导体层的制备步骤包括：先沉积金属氧化物半导体材料，然后用电子束扫描退火；N为正整数，N≥2。2.如权利要求1所述的载流子传输薄膜的制备方法，其特征在于，每层所述金属氧化物半导体层的制备步骤中，所述电子束的平均功率密度为100
‑
1000W/cm2；和/或，每层所述金属氧化物半导体层的制备步骤中，所述电子束的扫描时间为0.01
‑
0.1s；和/或，每层所述金属氧化物半导体层的制备步骤中，所述电子束的加速电压为70
‑
700V。3.如权利要求1所述的载流子传输薄膜的制备方法，其特征在于，其特征在于，第一层金属氧化物半导体层的制备步骤中，所述电子束的退火深度为所述第一层金属氧化物半导体层的厚度，第N层金属氧化物半导体层的制备步骤中，所述电子束的退火深度为第一层金属氧化物半导体层至第N层金属氧化物半导体层的总厚度。4.如权利要求1所述的所述的载流子传输薄膜的制备方法，其特征在于，N＝3
‑
10。5.如权利要求1
‑
4任一项所述的载流子传输薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体材料选自ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、ZrO2、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO和InSnO中的至少一种，得到的所述载流子传输薄膜为电子传输薄膜；或者，所述金属氧化物半导体材料选自NiO、Cu2O、CuO和V2O5中的至少一种，得到的所述薄膜为空穴传输薄膜。6.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在...

【专利技术属性】
技术研发人员：敖资通，严怡然，张建新，杨帆，赖学森，洪佳婷，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：