一种发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管及其制备方法，其中，方法包括步骤：提供PEDOT:PSS水溶液，在阳极衬底上沉积所述PEDOT：PSS水溶液，得到PEDOT:PSS湿膜层；对所述PEDOT：PSS湿膜层进行干燥处理，制得空穴注入层；在所述空穴注入层上制备空穴传输层；在所述空穴传输层制备发光层；在所述发光层上制备阴极，制得所述发光二极管。通过本发明专利技术方法制得发光二极管的发光均匀性明显提高，且其空穴注入和传输性能也得到明显改善。明显改善。明显改善。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管近年来广泛受到关注，主要是因其具有连续可调的发光光谱、亮度高、色纯度高等的独特光学物理特性，成为下一代显示和照明领域的有力竞争者。QLED器件的效率在研究者的不懈努力下不断提高，但就现阶段的器件效率和寿命还相对较低，其工业应用受到巨大的挑战。
[0003]在QLED器件中广泛采用旋涂等方式将PEDOT：PSS凝胶分散液制备成空穴注入层，其由无数个凝胶纳米颗粒堆叠而成，存在明显的不足：一方面，形成该功能层的PEDOT：PSS分散液溶剂主要是水且在空气中旋涂加热，虽然高温加热能在一定程度上干燥去除绝大部分薄膜中残留的水分，但简单的高温加热烘烤对于具有一定厚度的薄膜而言，其内部残留的水分难以完全去除，致使在器件制备完成时其薄膜内部还残留大量的水分，会致使器件的发光层以及其他功能分解，发光区产生大量的黑点，严重损害器件的发光区均匀性和寿命；另一方面，直接加热烘烤而成的薄膜与TFB等空穴传输层的界面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供PEDOT:PSS水溶液，在阳极衬底上沉积所述PEDOT：PSS水溶液，得到PEDOT:PSS湿膜层；对所述PEDOT：PSS湿膜层进行干燥处理，制得空穴注入层；在所述空穴注入层上制备空穴传输层；在所述空穴传输层制备发光层；在所述发光层上制备阴极，制得所述发光二极管。2.根据权利要求1所述发光二极管的制备方法，其特征在于，对所述PEDOT：PSS湿膜层进行干燥处理，制得空穴注入层的步骤包括：对所述PEDOT：PSS湿膜层进行冷冻处理，冷冻处理的温度为
‑
45℃至
‑
15℃；优选的，冷冻处理的时间为1
‑
12h。3.根据权利要求2所述发光二极管的制备方法，其特征在于，还包括在真空且温度小于0℃的条件下，对经过冷冻处理的所述PEDOT：PSS湿膜层进行所述干燥处理。4.根据权利要求3所述发光二极管的制备方法，其特征在于，所述干燥处理的时间为1
‑
12h。5.根据权利要求1所述发光二极管的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为10
‑
200nm。6.根据权利要求1所述发光二极管的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层材料为聚(9,9
‑
二辛基芴
‑
CO
‑
N
‑
(4
‑
丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯咔唑、聚(N,N'双(4
‑
丁基苯基)
‑
N,N'
‑
双(苯基)联苯胺)、聚(9,9
‑
二辛基芴
‑
共
‑
双
‑
N,N
‑
苯基
‑
1,4
‑
苯二胺)、4,4
’
,4
”‑
三(咔唑
‑9‑
基)三苯胺、4,4'
...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖学森，严怡然，张建新，敖资通，杨帆，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：