一种图形化用抗反射涂层组合物及图形化方法技术

本申请涉及一种图形化用水溶性抗反射涂层，以及使用该水溶性抗反射涂层进行图形化的方法，由于在正、负光刻胶层之间涂布了该水溶性抗反射涂层，避免了直接在正光刻胶层上涂布负光刻胶层引起的二者的反应而导致的不良等问题，从而能够很好的一并进行正光刻胶层和负光刻胶层的双光刻胶层涂布，极大地简化了工艺流程，节约了工艺时间和成本。节约了工艺时间和成本。节约了工艺时间和成本。

【技术实现步骤摘要】
一种图形化用抗反射涂层组合物及图形化方法


[0001]本申请涉及半导体器件的制造方法，特别是一种图形化用抗反射涂层组合物及使用该抗反射涂层组合物的图形化方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造工艺中，光刻(Photolithography)是常用的一种图形化方法。然而光刻工艺会限制所形成的图形的最小节距(Pitch)，随着集成电路向更小尺寸、更高密度方向的发展，对于光刻工艺也不断提出挑战，光刻机的发展从G
‑
line(G线光刻)，365nm I
‑
line(I线光刻)，248nm DUV(深紫外光刻)，到193nm ArF准分子光刻和ArF浸没式光刻，再到EUV(极紫外光刻)，引领线宽尺寸的不断缩小。随之而来的是光刻机成本的不断上涨，导致光刻研发成本成倍提高。
[0003]如何延长光刻机的工艺寿命，使其能形成更小的关键尺寸，是对光刻工艺的挑战。通常来说，深紫外光刻机的极限分辨率(Resolution Limit)在0.045um。如果集成电路工艺所需关键尺寸在0.045um以下，对于光刻来说就会用到EUV光刻机，这就意味着成本的大幅上升，对于如何延长光刻机的工艺寿命，使其能形成更小的最小节距，是对光刻工艺的挑战。因此，如何在控制成本的前提下，得到更小的最小节距，是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。
[0004]因此，为了得到更小的最小节距，可以采用进行多次曝光以多次光刻的多重图形化技术，包括双重图形化(Double Patterning Technology，DPT)、四重图形化(Quadrable Patterning Technology)等，都是一种能够使光刻工艺克服光刻极限分辨率的方法，例如，双重图形化常常采用的光刻
‑
刻蚀
‑
光刻
‑
刻蚀(Photo
‑
Etch
‑
Photo
‑
Etch，PEPE)。然而，这需要分别进行两次光刻
‑
刻蚀的工艺流程，增加了整个工艺制程的时间和成本。

技术实现思路

[0005]本申请的目的是通过以下技术方案实现的：
[0006]根据一个或多个实施例，本申请公开了一种抗反射涂层组合物，包括：90
‑
99.8wt％的水溶性聚合物和0.2
‑
10wt％的水溶性染料。
[0007]根据一个或多个实施例，本申请还公开了一种图形化的方法，包括：
[0008]在待图形化层上涂布有正光刻胶层；
[0009]在所述正光刻胶层上涂布水溶抗反射涂层；
[0010]在所述水溶抗反射涂层上涂布负光刻胶层；
[0011]通过光刻以图形化所述负光刻胶层；
[0012]去除所述水溶性抗反射涂层；
[0013]通过光刻以图形化所述正光刻胶层。
[0014]本申请的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者，部分特征和优点可以从说明书中推知或毫无疑义地确定，或者通过实施
本申请实施例了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0015]通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
[0016]图1
‑
图5是本申请实施方式的图形化工艺示意图。
具体实施方式
[0017]下文将参照附图更完全地描述本申请，在附图中显示本申请的实施例。然而，本申请不局限于在这里阐述的实施例。相反地，提供这些实施例以便彻底地并完全地说明，并完全地将本申请的范围传达给本领域的技术人员。在附图中，为了清楚起见可能夸大了层和区域的厚度。全文中相同的数字标识相同的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目的一个或多个的任何和所有组合。
[0018]这里所使用的术语仅仅是为了详细的描述实施例而不是想要限制本申请。如这里所使用的，除非本文清楚地指出外，否则单数形式“一”、“该”和“所述”等也包括复数形式。还应当理解的是说明书中使用的术语“包括”说明所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其他的特征、整体、步骤、操作、元件、部件、和/或其组合的存在或者增加。
[0019]应该理解当将一元件例如层、区域或者衬底称为“在另一个元件上”或者延伸“到另一个元件之上”时，可以是直接在另一个元件上或者直接延伸到另一个元件之上或者存在中间元件。相反地，当将一元件称为“直接在另一个元件上”或者“直接延伸到另一个元件之上”，则就不存在中间元件。也应当理解的是当将一种元件称为“连接”或者“耦合”至另一个元件时，可以是直接地连接或者耦合到另一个元件或者存在中间元件。相反地，当将一种元件称为“直接连接”或者“直接耦合”至另一个元件时，就不存在中间元件。
[0020]应该理解，尽管这里可以使用术语第一、第二等等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不受这些术语的限制。这些术语仅仅用于将一个元件、组件、区域、层或者部分与另一个元件、组件、区域、层或者部分区分开。因而，在不脱离本申请精神的情况下，可以将下文论述的第一元件、组件、区域、层或者部分称作第二元件、组件、区域、层或者部分。
[0021]而且，相对术语，例如“下面”或者“底部”和“上面”或者“顶端”在这里用于描述如附图中展示的一个元件与另一个元件的关系。应该理解相对术语除了包括附图中所述的方向外还包括器件的不同方向。例如，如果翻转图中的器件，则被描述为在另一元件的下边的元件变为在另一个元件的上边。因此示范性术语“下面”根据图的具体方向包括“下面”和“上面”两个方向。同样地，如果翻转一个图中的装置，描述为“在其他的元件下面”或者“在其他的元件之下”的元件定向为在其它元件上方。因此，示范性术语“在下面”或者“在...之下”包括上面和下面两个方向。
[0022]这里参照示意性说明本申请的理想化实施例的横截面图(和/或平面图)来描述本
申请的实施例。同样地，可以预计会存在因例如制造工艺和/或容差而导致的与示意图形状的偏离。因而，不将本申请的实施例认为是对这里说明的区域的具体形状的限制，而是包括由例如制造导致的形状的偏差。例如，说明为或者描述为矩形的蚀刻区域典型地具有圆的或者曲线特征。因而，图中说明的区域本质上是示意性的，它们的形状不表示装置区域的精确的形状也不限制本申请的范围。
[0023]除非另有限定，这里使用的全部术语(包括技术和科学名词)与本申请所属领域的普通技术人员通常所理解的具有同样的意义。还应当理解的是术语，例如在常用词典中定义的术语应当被解释为与相关技术的文献中的意义相协本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗反射涂层组合物，包括：90
‑
99.8wt％的水溶性聚合物和0.2
‑
10wt％的水溶性染料。2.根据权利要求1所述的抗反射涂层组合物，其特征在于：所述水溶性聚合物为聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚乙烯比咯烷酮中的一种或两种以上的组合。3.根据权利要求1所述的抗反射涂层组合物，其特征在于：所述水溶性聚合物为分子量为1000
‑
20000g/mol的聚乙烯醇。4.根据权利要求1
‑
3任意一项所述的抗反射涂层组合物，其特征在于：所述水溶性染料为YELLOW系列的水溶性染料AY36、AY3、AY23，RED系列的水溶性染料AR131、1R、AV54，VIOLET系列的水溶性染料AV17、AV43、AV76，ORANGE系列的水溶性染料例如AO10、AO7、AO8中的一种，或者以上染料的两种以上的组合。5.一种图形化方法，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：李祥华，李大烨，贺晓彬，刘强，丁明正，杨涛，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：