一种图形化用抗反射涂层组合物及图形化方法技术

本申请涉及一种图形化用水溶性抗反射涂层，以及使用该水溶性抗反射涂层进行图形化的方法，由于在正、负光刻胶层之间涂布了该水溶性抗反射涂层，避免了直接在正光刻胶层上涂布负光刻胶层引起的二者的反应而导致的不良等问题，从而能够很好的一并进行正光刻胶层和负光刻胶层的双光刻胶层涂布，极大地简化了工艺流程，节约了工艺时间和成本。节约了工艺时间和成本。节约了工艺时间和成本。

【技术实现步骤摘要】
一种图形化用抗反射涂层组合物及图形化方法


[0001]本申请涉及半导体器件的制造方法，特别是一种图形化用抗反射涂层组合物及使用该抗反射涂层组合物的图形化方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造工艺中，光刻(Photolithography)是常用的一种图形化方法。然而光刻工艺会限制所形成的图形的最小节距(Pitch)，随着集成电路向更小尺寸、更高密度方向的发展，对于光刻工艺也不断提出挑战，光刻机的发展从G
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line(G线光刻)，365nm I
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line(I线光刻)，248nm DUV(深紫外光刻)，到193nm ArF准分子光刻和ArF浸没式光刻，再到EUV(极紫外光刻)，引领线宽尺寸的不断缩小。随之而来的是光刻机成本的不断上涨，导致光刻研发成本成倍提高。
[0003]如何延长光刻机的工艺寿命，使其能形成更小的关键尺寸，是对光刻工艺的挑战。通常来说，深紫外光刻机的极限分辨率(Resolution Limit)在0.045um。如果集成电路工艺所需关键尺寸在0.045um以下，对于光刻来说就会用到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗反射涂层组合物，包括：90
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99.8wt％的水溶性聚合物和0.2
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10wt％的水溶性染料。2.根据权利要求1所述的抗反射涂层组合物，其特征在于：所述水溶性聚合物为聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚乙烯比咯烷酮中的一种或两种以上的组合。3.根据权利要求1所述的抗反射涂层组合物，其特征在于：所述水溶性聚合物为分子量为1000
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20000g/mol的聚乙烯醇。4.根据权利要求1
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3任意一项所述的抗反射涂层组合物，其特征在于：所述水溶性染料为YELLOW系列的水溶性染料AY36、AY3、AY23，RED系列的水溶性染料AR131、1R、AV54，VIOLET系列的水溶性染料AV17、AV43、AV76，ORANGE系列的水溶性染料例如AO10、AO7、AO8中的一种，或者以上染料的两种以上的组合。5.一种图形化方法，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：李祥华，李大烨，贺晓彬，刘强，丁明正，杨涛，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：