一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法技术

本发明专利技术公开了一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，包括如下步骤：将铌酸锂单面抛光片进行检验，将检验出背面不良的晶片进行标记；将标记的晶片放入碱性清洗液中超声清洗；将清洗后的晶片抛光面进行贴膜；将两片贴膜后晶片的贴膜面粘合，获得粘合工件；将粘合工件进行双面研磨；将研磨后的粘合工件清洗并脱膜。本发明专利技术通过工艺改进，提高产品良品率，返工后的单面抛光片具有背面粗糙度一致性好、平坦度指标高、加工效率高、生产成本低、工艺易实现和易监控等特点，能够满足产业化大规模批生产的要求。产的要求。产的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法


[0001]本专利技术涉及铌酸锂晶体材料，特别是一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，提高了铌酸锂单面抛光片背面不良的返工质量和加工效率，有利于节约生产成本，适合产业化推广。

技术介绍

[0002]铌酸锂（LiNbO3，以下简称LN）是一种化学物质，属三方晶系，钛铁矿型(畸变钙钛矿型)结构，相对密度4.30g/cm3，莫氏硬度5，居里点1140℃，是集压电、铁电、热释电、非线性、光电、光弹、光折变等功能于一体的多功能材料。LN因其卓越的物理特性，得到了越来越多的关注，在航空、航天、民用光电产品等领域得到广泛应用。其中，作为压电晶体材料,经过退火、极化、定向、切割、滚圆、做基准面、多线切割、研磨、减薄、抛光等工序制作的铌酸锂晶片具有优良的压电性能，可作为衬底片制作声表面波（SAW）和体波（BAW）器件。然而，与硅晶体和蓝宝石晶体相比，铌酸锂的断裂韧性和硬度更低，例如其断裂韧性是硅的三分之一、蓝宝石的十分之一，因此铌酸锂晶体在加工过程中比硅晶体和蓝宝石晶体更易受损。
[0003]铌酸锂在单面抛光过程本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，其特征在于，包括下列具体步骤：a)单面抛光片检验：将单面抛光片进行检验，将检验出背面不良的晶片进行标记；b)晶片清洗：采用碱性清洗溶液对步骤a)标记的晶片进行清洗，降低晶片表面颗粒脏污，同时可减少后续加工裂片率；c)晶片贴膜：采用厚度为80~150μm的PET复合膜对步骤b)清洗后的晶片进行贴膜，获得抛光面受保护的贴膜片；d)贴膜片粘合；使用黏贴剂将两片步骤c）获得的贴膜片的贴膜面粘合，获得待研磨的粘合工件；e)粘合工件研磨；对步骤d)获得的粘合工件进行双面研磨加工，加工的同时将研磨液喷在粘合工件上，并使加工后粘合工件的晶片背面粗糙度控制在0.1~0.3μm；f)粘合工件清洗并脱膜：采用酸性清洗溶液将步骤e)研磨后的粘合工件进行清洗，并将清洗后的粘合工件放入热水中浸泡脱膜。2.如权利要求1所述的铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，其特征在于，所述步骤a)中，在亮度800~1200Lux黄色日光灯下进行肉眼检验。3.如权利要求1所述的铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，其特征在于，所述步骤b)中，采用超声清洗方式，超声频率为28~200khz，清洗温度35~45℃，清洗时长25~40min，所用碱性清洗溶液由水和碱性清洗剂稀释后形成，稀释后溶液质量分数为3.3%~10%，组成碱性清洗剂的各成分质量分数为去离子水50~60%，无机碱8~20%，螯合剂10~15%，无机助剂5~12%，有机碱5~8%。4.如权利要求1所述的铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，其特征在于，所述步骤c）中，晶片进行贴膜的具体过程如下：第一阶段，将晶片移动到定位寻边装置上，通过光学仪器进行晶圆的圆心定位和寻边；第二阶段，完成圆心定位与寻边后的晶片移动到贴膜平台，将膜的张力控制在
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100~
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180Mpa，将膜通过罗拉挤压黏贴到晶片表面；第三阶段，刀片以1800~2200pps的速度沿着晶片参考边位置将膜切割，以3400~3600pps的速度沿着晶片圆弧位置切割，刀片切割温度60~80℃。5.如权利要求1所述的铌酸锂单面抛光片背面不良的返工方法，其特征在于，所述步骤c)中，组成PET复合膜的各成分质量分数为成膜材料30%~85%、增塑剂0~20%、表面活性剂1%~2%、填充剂着色剂0~20%、着色剂0~2%、脱模剂0~1%。6.如权利要求1所述的铌酸锂单面...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐秋峰，濮思麒，沈浩，张忠伟，钱煜，张伟明，汪万盾，曹焕，
申请(专利权)人：天通控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：