【技术实现步骤摘要】
调整负载中晶体管跨导变化范围用的偏置补偿电路属于CMOS集成电路中负载晶体管的跨导调整
技术介绍
由于制造步骤的不一致而引起的工艺参数的波动、电路工作的环境温度改变以及电源电压的变化都会引起电路的性能在其标称值附近波动。在集成电路设计过程中，要求电路在工艺过程、电源电压以及环境温度(Process、Supply Voltage、and Temperature，PVT)变化的时候电路性能比较稳健，从而避免电路的合格率的降低。在某些电路如LC振荡器中，晶体管的跨导是一个关键的中间性能指标(见参考文献Ham，D.，and Hajimiri，A.‘Concepts and Methods in Optimization of Integrated LC VCOs’，IEEE J.Solid-State Circuits，June 2001，Vol.36，No.6，pp.896-909)。图1所示为经过补偿的LC振荡器的电路(左边)以及它在稳态情况下的线性等效电路(右边)。在这里跨导gtank代表谐振回路的损耗，而-gactive代表电路中用以补偿谐振回路损耗...
【技术保护点】
调整负载晶体管跨导用的偏置补偿电路，含有一个用作电流偏置的电流镜，其特征在于，它包含有：用作电流偏置的电流镜，包含：电流源；第一ＮＭＯＳ管，用ＭＮ２表示，它的漏极、栅极都与所述电流源的输出端相连；第二ＮＭＯＳ 管，用ＭＮ３表示，它的栅极和上述ＭＮ２管的栅极相连，它的源极和上述ＭＮ２管的源极共地；负载中的晶体管，用ＭＮ４表示，它的源极和上述ＭＮ３管的漏极相连，它的漏极接电源；电流补偿电路，包含：电阻分压支路，有两个电阻串连而 成，一端接电源另一端接地；第三ＮＭＯＳ管，它...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：冒小建，杨华中，汪蕙，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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