【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及宽带高斯白噪声发生器。
技术介绍
白噪声源是在硬件加密器件中广泛应用的随机数发生器(RNG)电路的关键元件。白噪声是一种随机噪声，其通常在电子电路中作为非零温度下的电子的随机运动的结果产生。公知利用线性电阻器以及例如二极管和晶体管的有源器件产生白噪声。线性电阻器产生其功率与电阻成正比的白噪声，以致为了得到大幅度的白噪声，需要高电阻的元件。通常，通过增大电阻器的长宽比得到高电阻。以这种方式增大电阻器的尺寸提高了其寄生电容，该寄生电容反过来降低噪声带宽，并从而降低噪声幅度。因此，寄生电容与增大的电阻作用相反，公知实际上通过电阻器的寄生电容和负载的输入电容实际确定噪声幅度。由斯坦福大学电子工程系Bipin Rajendran于2001年12月公开的“Review of noise in semiconductor devices and modeling of noise insurrounding gate MOSFET”介绍了与CMOS相关联的不同类型的噪声，尤其关于白噪声，以及与热噪声和也公知作为过量噪声或闪变噪声的1/f噪声相关联的问题。白高斯...
【技术保护点】
一种白噪声发生器，包括在其线性区工作并具有零源极－漏极ＤＣ偏置电流的ＭＯＳＦＥＴ。
【技术特征摘要】
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