一种浮置源极接触刻蚀工艺的测试结构以及监控方法技术

本申请公开了一种浮置源极接触刻蚀工艺的测试结构以及监控方法。所述测试结构包括：半导体衬底，配置为下极板，半导体衬底包括有源区和非有源区；阻挡层，位于半导体衬底的有源区上；介质层，覆盖半导体衬底和阻挡层；相互间隔设置的多个上极板，多个上极板位于有源区的上方，上极板包括孔槽和填充于孔槽的导电材料，孔槽贯穿介质层且延伸至阻挡层；接触孔，贯穿介质层且延伸至半导体衬底；上极板金属互联，位于多个上极板的上方并与多个上极板电连接，且将多个上极板并联后电连接至上极板焊盘；下极板金属互联，位于接触孔的上方并与接触孔电连接，且将半导体衬底电连接至下极板焊盘。盘。盘。

【技术实现步骤摘要】
一种浮置源极接触刻蚀工艺的测试结构以及监控方法


[0001]本申请涉及半导体领域，具体而言涉及一种浮置源极接触刻蚀工艺的测试结构以及监控方法。

技术介绍

[0002]当前业界对于中压档位(16～80V)NLDMOS的器件架构常用金属场板(metal plate)，浮置源极接触(浮置源极接触(floating source contact))、或者栅极场板(gate plate)等方式增强降低表面电场(Reduce surface field，RESUF)，在相同Rsp能力下实现关态电压(BVoff)的提升。
[0003]其中，双极型
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互补金属氧化半导体
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双扩散金属氧化半导体工艺(BCD)浮置金属(floating metal)是集成在通孔刻蚀工艺中一起实现(不需要额外一层光刻版定义浮置金属，该技术命名为浮置源极接触(浮置源极接触(floating source contact)))，一般通孔刻蚀后的工艺监控就是进行关键尺寸(critical demension，CD)量测以及刻蚀后显微镜检查，但是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种浮置源极接触刻蚀工艺的测试结构，其特征在于，所述测试结构包括：半导体衬底，配置为下极板，所述半导体衬底包括有源区和非有源区；阻挡层，位于所述半导体衬底的有源区上；介质层，覆盖所述半导体衬底和所述阻挡层；相互间隔设置的多个上极板，多个所述上极板位于所述有源区的上方，所述上极板包括孔槽和填充于所述孔槽的导电材料，所述孔槽贯穿所述介质层且延伸至所述阻挡层；接触孔，贯穿所述介质层且延伸至所述半导体衬底；上极板金属互联，位于多个所述上极板的上方并与多个所述上极板电连接，且将多个所述上极板并联后电连接至上极板焊盘；下极板金属互联，位于所述接触孔的上方并与所述接触孔电连接，且将所述半导体衬底电连接至下极板焊盘。2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，多个所述上极板在水平面上的投影呈长条形结构，所述上极板的长度沿第一方向延伸，多个所述上极板沿第二方向等间距间隔平行设置，所述第一方向和所述第二方向相互垂直。3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述上极板的长度大于50um，宽度范围为0.2um～1um；或所述接触孔的关键尺寸为0.17um～0.24um。4.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构还包括：多个掺杂区，位于所述半导体衬底的表面且未被所述阻挡层覆盖的区域，作为所述半导体衬底的引出区。5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述上极板焊盘和所述下极板焊盘位于所述半导体衬底的非有源区上的所述介质层上。6.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：金宏峰，孙贵鹏，林峰，李春旭，陈淑娴，黄宇，曹瑞彬，赵伟，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：