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本申请公开了一种浮置源极接触刻蚀工艺的测试结构以及监控方法。所述测试结构包括：半导体衬底，配置为下极板，半导体衬底包括有源区和非有源区；阻挡层，位于半导体衬底的有源区上；介质层，覆盖半导体衬底和阻挡层；相互间隔设置的多个上极板，多个上极板位...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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