【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
具有限流电路的场效应晶体管FET,包括:FET开关晶体管;耦连到所述FET开关晶体管的电流检测器,其用来测量流过所述FET开关晶体管的电流。耦连到所述FET开关晶体管的栅极的第一偏置电路,其被配置成向所述栅极提供第一偏置电流;耦连到所述FET开关晶体管的所述栅极的第二偏置电路,其被配置成向所述栅极提供第二偏置电流,所述第二偏置电流小于所述第一偏置电流;和偏置开关电路,其耦连到所述第一偏置电路,并被配置成当所述电流检测器检测到过电流情况时,断开所述第一偏置电流的流动,从而所述电流检测器可以限制所述FET开关晶体管的电流。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:RW亚当斯,TA施密特,SV拉贾塞卡尔,
申请(专利权)人:德克萨斯仪器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
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