非易失性可编程晶体振荡器电路制造技术

技术编号:3399156 阅读:177 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
根据本发明专利技术的实施例,诸如闪存之类的非易失性存储器被用来在单个管芯已被封装之后配置该管芯。因此,单个管芯可以支持许多应用,或者在给定的应用内可以进行优化。根据本发明专利技术的实施例,非易失性存储器可以通过编程接口,优选地通过双引脚编程接口访问,来使参数规格化,所述参数例如是封装寄生效应、晶体变动、输出分频、输出占空比、输出边沿速率、I/O配置和振荡器增益。根据本发明专利技术的一个实施例,XO电路配置包括非易失性存储器和孤立XO,其中XO电路配置不要求PLL来合成XO所产生的参考频率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种振荡器电路,包括:    晶体振荡器,所述晶体振荡器被配置为产生具有参考频率的参考信号;    分频器,所述分频器被配置为对所述参考信号进行分频来产生时钟输出;以及    非易失性存储器,所述非易失性存储器被配置为调节所述晶体振荡器和所述分频器的参数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:亚伦布伦南马克鲁格迈克麦克米那迈
申请(专利权)人:赛普拉斯半导体公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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