【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于模拟集成电路技术,具体涉及一种电阻电容型(RC)环形振荡器,该电路能在宽工作电压范围内提供高稳定度的振荡频率。
技术介绍
振荡器在集成电路应用中非常广泛,是许多电子系统的主要部分,从微处理器的时钟到蜂窝电话中的载波合成,而锁相环(PLL)中,振荡器更是不可或缺的部分。LC振荡器因为其占用面积大的原因,在某些微型电路中的应用受到了很大的限制,因此面积相对较小、稳定度较高的,特别是宽工作电压范围的RC振荡器的设计,就成为现在模拟集成电路中的一个热点。 因为振荡频率跟尾电流源密切相关,电路中我们考虑一种理想的电流源,实际上只需使电流源与电源电压弱相关,便可实现宽工作电压范围,高稳定度的振荡电路。 当一个电路环路增益在其相移为360°时大于0dB,电路便会产生振荡,这便是巴克豪森准则。一般的RC环形振荡器由多级相同的电路组成,比如说,常用的单端环形振荡器为三级,五级,双端可为三四五级,因为每一级最多可产生90°的相位平移,对三级环形振荡器来说,每一级产生60°的相移,只需要总的增益足够,便可以产生振荡,但是一般的这种环形振荡器要使得振荡频率稳定, ...
【技术保护点】
一种电阻电容型环形振荡器,其特征在于:该振荡器的结构为:第一PMOS管(M2)为二极管连接,并与第一NMOS管(M1)串联,第一PMOS管(M2)的源极接外接电源,第一NMOS管(M1)的源极接地;第二PMOS管(M3)栅极与第一PMOS管(M2)栅极相连,第二PMOS管(M3)的源极接外接电源,第二PMOS管(M3)的漏极与电流源的正端相接,电流源的负端接地;第三PMOS管(M5)与第三NMOS管(M6)串联,电容C1接在第三PMOS管(M5)的栅极和外接电源之间,电阻R1接在第三NMOS管(M6)的栅极和漏极之间,第三PMOS管(M5)的源极接外接电源,第三NMOS管( ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:雷鑑铭,贺黉胤,邹雪城,邹志革,邹望辉,
申请(专利权)人:华中科技大学,
类型:发明
国别省市:83[中国|武汉]
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