【技术实现步骤摘要】
一种温度补偿电压调节器
[0001]本专利技术涉及集成电路领域，更具体地，涉及一种温度补偿电压调节器。
技术介绍
[0002]目前，在高压芯片的设计中，通常会利用电压调节器来根据输入的高电源电压生成电压值更能够适合集成电路工作的调节电压，用以给电路中的大部分低压模块进行供电。现有的电压调节器通常使用一对或多对PMOS管来限制高电压，使用一对或多对NMOS管来限制低电压。
[0003]然而，现有技术中的电压调节器，其通常的电压调节精度不够高。这是由于电压调节器具有温度特性，其中的PMOS管与NMOS管的栅源极电压会随着温度的上升使得其等效电阻阻值随之呈现正向或负向的指数关系变化。这导致当芯片工作的环境温度发生变化时，其输出的调节电压变化很大。例如，当芯片处于高温状态，同时电源电压较低，此时调节电压会大幅降低，使得需要低压供电才能工作的部分电路模块无法正常工作。同时，由于组成电压调节器的PMOS管和NMOS管的制造工艺偏差，也会使得不同芯片中的电压调节器具有不同的温度特性，从而降低电压调节器中输出的调节电压的精度。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种温度补偿电压调节器，包括电压调节单元和温度补偿单元，其特征在于：所述电压调节单元，用于生成参考电压，接收来自温度补偿单元生成的反馈电压，并基于所述参考电压和所述反馈电压生成调节电压，以及将所述调节电压输出至所述温度补偿单元；所述温度补偿单元，用于接收来自所述电压调节单元生成的调节电压，并根据所述参考电压生成反馈电压并反馈至所述电压调节单元。2.根据权利要求1中所述的一种温度补偿电压调节器，其特征在于：所述参考电压具有负温度系数，所述反馈电压具有正温度系数；所述调节电压抵消所述参考电压的负温度系数和所述反馈电压的正温度系数，具有零温度系数。3.根据权利要求2中所述的一种温度补偿电压调节器，其特征在于：所述电压调节单元包括输出管；并且，所述输出管的栅极与所述温度补偿单元连接，用于接收所述温度补偿单元生成的反馈电压；所述输出管的源极与所述温度补偿单元连接，用于输出所述电压调节单元生成的调节电压。4.根据权利要求3中所述的一种温度补偿电压调节器，其特征在于：所述输出管为PMOS场效应管或PNP晶体管。5.根据权利要求4中所述的一种温度补偿电压调节器，其特征在于：所述电压调节单元还包括第一至第三PMOS管、第一至第四NMOS管、第一电阻；并且，所述第一至第三PMOS管源极接高电压，第一PMOS管栅极漏极、第二PMOS管栅极与第一NMOS管漏极相连接，第二PMOS管漏极、第三PMOS管栅极与第一电阻一端相连接，第一电阻另一端接地，第三PMOS管漏极与输出管源极相连接并输出调节电压；所述第一NMOS管栅极、第二NMOS管的栅极漏极与输出管漏极相连接，第一NMOS管源极与第三NMOS管漏极相连接，第二NMOS管源极与第四NMOS管漏极栅极相连接，第三NMOS管源极与第四NMOS管源极接地。6.根据权利要求5中所述的一种温度补偿电压调节器，其特征在于：所述温度补偿单元包括第五至第八PMOS管、第一晶体管、第二晶体管、第二至第五电阻；并且，所述第五至第八PMOS管源极接所述电压调节单元输出的所述调节电压，所述第五至第七PMOS管栅极、所述第七PMOS管漏极与所述第二晶体管集电极相连接，第五PMOS管漏极、第二电阻一端与所述电压调节单元相连接以输出反馈电压，所述第六PMOS管漏极、第八PMOS管栅极第一晶体管集电极相连接，第八PMOS管漏极与第三电阻一端、第一晶体管基极、第二晶体管基极以及第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：白玮，于翔，谢程益，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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