高精度温度补偿型晶体振荡器及其补偿测试方法技术

这里公开了一种温度补偿型晶体振荡器的补偿及测试方法。该方法包含：对振荡器内部ＩＣ寄存器进行初始值写入；在指定温度对ＩＣ各寄存器进行数据采集；根据设定规格要求及数据采集结果计算ＩＣ各寄存器值；将计算出的ＩＣ各寄存器值写入ＩＣ进行温度检测；对测试结果进行判断及不良品分类；针对测试结果的不良品进行瞬间二次补偿。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及温度补偿型晶体振荡器的补偿及测试方法。温度补偿 晶体振荡器因具有体积小，功耗低，成本低，稳定度高等的特点，被 广泛应用于国防、科技、移动通讯等领域。
技术介绍
温度补偿晶体振荡器一般包含振荡单元和温度补偿单元，振荡单元由晶体谐振器及振荡回路构成，采用AT切的晶体谐振器具有用三 次曲线表征的温度频率特性，温度补偿单元主要就是通过补偿电路产 生与晶体谐振器温度频率特性相反的三次曲线已达到补偿的目的。传统补偿方法采用由热敏电阻构成的模拟电路，该补偿方法具有补偿 速度慢，精度低， 一致性不好等缺点。我们所采用的补偿方法因补偿回路产生的是五次温度曲线，较之三次 温度曲线更精确，且在补偿过程中，通过程序控制，由设备自动在整 个温度范围内对每个振荡器进行数据采集并计算，所以补偿精度高， 且效率也较之传统的补偿方式高很多。
技术实现思路
本专利技术涉及广泛应用于移动通讯领域的温度补偿晶体振荡器的补偿及测试方法，该补偿及测试方法包含对振荡器内部IC进行初 始值写入；根据规格设定在指定温度对IC各寄存器进行数据采集； 根据规格设定要求及数据采集结果计算IC各寄存器值；将计算出的 IC各寄存器值写入IC进行温度检测；根据测试结果对个别振荡器进 行参数微调并写入，同时对合格品及不良品进行分类。附图说明附图是本专利技术的工艺流程图。 具体实施例方式首先，根据技术指标建立相应规格文件，该规格文件包含以下内 容标称频率、电源电压、压控电压、压控增益、数据采集温度点、 温度测试温度点及频率温度稳定度、各寄存器初始值及歩进。在补偿测试界面，对程序进行初始化，选取相应过程，调用已设 定好的规格文件，输入补偿振荡器个数，开始补偿及测试流程，程序 自动进行以下操作在寄存器中写入规格设定的初始值，程序进行增益及频率调零； 在设定的各温度点进行数据采集，即在各温度点记录各寄存器在初始 值下及变化步进值时所对应的频率值，生成相应数据库；程序根据各 温度点采集的数据和规格设定的稳定度计算出寄存器的值写入IC; 程序根据设定规格在指定的温度点进行温度检测，对检测结果进行判 定，针对超出规格的材料进行瞬间二次补偿，区分合格品及不良品。权利要求1.一种温度补偿型晶体振荡器的补偿方法，包含以下步骤对振荡器内部IC进行初始值写入。2. 根据权利要求1所述的温度补偿型晶体振荡器的补偿方法，其 特征在于，还包含以下步骤根据规格设定在指定温度对IC各寄存器进行数据采集。3. 根据权利要求2所述的温度补偿型晶体振荡器的补偿方法，其 特征在于，还包含以下步骤根据规格设定要求及数据采集结果计算 IC各寄存器值。4. 根据权利要求3所述的温度补偿型晶体振荡器的补偿方法，其特征在于，还包含以下步骤将计算出的IC各寄存器值写入IC进行 温度检测。5. 根据权利要求4所述的温度补偿型晶体振荡器的补偿方法，其特征在于根据测试结果对个别振荡器进行参数微调并写入，同时对 合格品及不良品进行分类。6. 根据权利要求3所述的温度补偿型晶体振荡器的补偿方法，其 特征在于，还包含以下歩骤针对测试结果的不良品进行瞬间二次补偿。全文摘要这里公开了一种温度补偿型晶体振荡器的补偿及测试方法。该方法包含对振荡器内部IC寄存器进行初始值写入；在指定温度对IC各寄存器进行数据采集；根据设定规格要求及数据采集结果计算IC各寄存器值；将计算出的IC各寄存器值写入IC进行温度检测；对测试结果进行判断及不良品分类；针对测试结果的不良品进行瞬间二次补偿。文档编号H03B5/32GK101350590SQ20081012643公开日2009年1月21日 申请日期2008年6月26日 优先权日2008年6月26日专利技术者刘贵枝, 茜 吴, 威 张, 杨红永 申请人:廊坊中电大成电子有限公司;天津必利优科技发展有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种温度补偿型晶体振荡器的补偿方法，包含以下步骤：对振荡器内部ＩＣ进行初始值写入。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴茜，张威，刘贵枝，杨红永，
申请(专利权)人：廊坊中电大成电子有限公司，天津必利优科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：13[中国|河北]