本实用新型专利技术涉及一种双磁体扬声器磁路结构，其包括双磁体、磁轭以及线圈。双磁体设置于磁轭内，线圈位于磁轭的内壁与双磁体的外壁之间。双磁体包括第一磁体、第二磁体以及非导磁华司，第一磁体和第二磁体相对设置，第一磁体和第二磁体相对的面的磁性相同。非导磁华司叠置于第一磁体和第二磁体之间。无需采用导磁材料的华司，磁力线由于相斥作用也会在上下磁路的间隙中聚集。非导磁华司有效降低了扬声器的自感系数，降低了高频段的感抗，提升扬声器的高频响应。增加华司厚度不会增加扬声器的自感系数，在满足磁场强度的情况下，增加非导磁华司的厚度，能提高磁隙中水平磁场的高度，保证线圈上下振动时尽可能多的位于线性磁场中，降低非线性失真。低非线性失真。低非线性失真。
【技术实现步骤摘要】
一种双磁体扬声器磁路结构以及双磁体扬声器
[0001]本技术涉及扬声器
，尤其涉及一种双磁体扬声器磁路结构以及双磁体扬声器。
技术介绍
[0002]线圈中输入交流电流产生交变的磁场，在永久磁铁与交变磁场的作用下做垂直于线圈电流方向的运动。线圈运动带动纸盆的前、后振动，纸盆的振动推动空气的振动，使得人能感受到声音。交流电流越大，磁场作用越强，扬声器的纸盆振动幅度越大，相应的声音越大。
[0003]现有的扬声器只有一个磁体，通过线圈处的磁感场并不均匀，呈发散状，同时磁路中可能会形成漏磁，即较多的磁感场泄漏至磁间隙以外，未能穿过线圈，从而使得线圈位置处的磁场强度下降，影响扬声器的灵敏度。并且，现有的扬声器中的华司采用导磁材料，用于聚集磁力线。采用导磁材料制作华司，提高了扬声器的自感系数，从而提高了高频段的感抗，进而降低了扬声器的高频响应。
技术实现思路
[0004](一)要解决的技术问题
[0005]鉴于现有技术的上述缺点和不足，本技术提供一种双磁体扬声器磁路结构以及双磁体扬声器，其解决了扬声器灵敏度和高频响应差的技术问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为了达到上述目的，本技术的双磁体扬声器磁路结构包括双磁体、磁轭以及线圈；
[0008]所述磁轭为一端开口的中空结构，所述双磁体设置于所述磁轭内，所述线圈套设于所述双磁体外，且所述线圈位于所述磁轭的内壁与所述双磁体的外壁之间；
[0009]所述双磁体包括第一磁体、第二磁体以及非导磁华司，所述第一磁体和所述第二磁体相对设置，所述第一磁体和所述第二磁体相对的面的磁性相同；
[0010]所述非导磁华司叠置于所述第一磁体和所述第二磁体之间。
[0011]可选地，所述第一磁体和所述第二磁体相互平行，所述第一磁体的第一端面与所述第二磁体的第一端面相对设置。
[0012]可选地，所述非导磁华司的第一端面与所述第一磁体的第一端面抵接，所述非导磁华司的第二端面与所述第二磁体的第一端面抵接，所述非导磁华司的第一端面和第二端面为一组相对的面。
[0013]可选地，所述线圈的中轴线与所述第一磁体的中轴线共线，所述非导磁华司的第一端面和第二端面所在的平面均能够垂直穿过所述线圈。
[0014]可选地，所述第一磁体和所述第二磁体均为永磁体。
[0015]可选地，所述第一磁体、所述第二磁体以及所述非导磁华司上均开设有多个第一
通孔，所述第一磁体、所述第二磁体以及所述非导磁华司上的多个所述第一通孔一一对应，每一个所述第一通孔内均套设有第一定位销。
[0016]可选地，所述第一磁体上开设有多个所述第二通孔，所述第二磁体上开设有多个第三通孔；
[0017]所述非导磁华司与所述第一磁体相对的面上设置有多个第二定位销，所述非导磁华司与所述第二磁体相对的面上设置有多个第三定位销，多个所述第二定位销与多个所述第二通孔一一对应连接，多个所述第三定位销与多个所述第三通孔一一对应连接。
[0018]可选地，双磁体扬声器磁路结构还包括多个螺栓；
[0019]所述第一磁体、所述第二磁体以及所述非导磁华司上均开设有多个第四通孔，所述第一磁体、所述第二磁体以及所述非导磁华司上的多个所述第四通孔均一一对应；
[0020]所述螺栓套设在所述第四通孔内，且所述螺栓与所述磁轭连接。
[0021]进一步地，本技术还提供了一种双磁体扬声器，其包括壳体、盆架、纸盆以及如上所述的双磁体扬声器磁路结构；
[0022]所述双磁体扬声器磁路结构设置于所述壳体内，所述盆架的第一端与所述壳体连接；
[0023]所述纸盆的第一端与所述线圈连接，所述纸盆的第二端与所述盆架的第二端连接。
[0024]可选地，所述双磁体扬声器还包括防尘罩，所述防尘罩设置于所述纸盆上。
[0025](三)有益效果
[0026]在技术中，采用多种结构将第一磁体、第二磁体及非导磁华司固定在一起，提高了安装的灵活性和稳定性。第一磁体和第二磁体的磁极相对设置，无需采用导磁材料的华司，磁力线也会因为相斥作用在第一磁体和第二磁体之间的间隙中聚集。采用非导磁材料制作华司，可以有效降低扬声器的自感系数，降低高频段的感抗，从而有效提升扬声器的高频响应。同时，由于采用非导磁华司，增加华司厚度不会造成扬声器自感系数上升，因此在满足磁场强度的情况下，非导磁华司的厚度可以尽可能厚，磁隙中水平磁场的高度可以获得较大提高。磁隙中水平磁场高度的提高，可以保证线圈上下振动时尽可能多的位于线性磁场中，从而有效降低非线性失真。
附图说明
[0027]图1为本技术的双磁体扬声器磁路结构的结构示意图；
[0028]图2为本技术的双磁体扬声器磁路结构的实施例1的结构示意图；
[0029]图3为本技术的双磁体扬声器磁路结构的实施例2的结构示意图
[0030]图4为本技术的双磁体扬声器磁路结构的实施例3的结构示意图
[0031]图5为本技术的双磁体扬声器的结构示意图。
[0032]【附图标记说明】
[0033]1：第一磁体；2：第二磁体；3：非导磁华司；4：磁轭；5：线圈；6：第一定位销；7：第二定位销；8：第三定位销；9：螺栓；10：双磁体；11：壳体；12：盆架；13：纸盆；14：防尘罩。
具体实施方式
[0034]为了更好地解释本技术，以便于理解，下面结合附图，通过具体实施方式，对本技术作详细描述。其中，本文所提及的“上”、“下”......等方位名词以图1的定向为参照。
[0035]虽然附图中显示了本技术的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本技术而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更清楚、透彻地理解本技术，并且能够将本技术的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0036]如图1所示，本技术提供了一种双磁体扬声器磁路结构，其包括双磁体10、磁轭4以及线圈5。其中，磁轭4为一端开口的中空结构，优选为一端开口的中空圆柱体。双磁体10设置于磁轭4内，线圈5套设在双磁体10外，且线圈5悬浮在磁轭4的内壁与双磁体10的外壁之间。双磁体10包括第一磁体1、第二磁体2以及非导磁华司3，非导磁华司3为非导磁结构，第一磁体1和第二磁体2优选为永磁体，第一磁体1和第二磁体2相对设置，第一磁体1和第二磁体2相对的面的磁性相同，非导磁华司3叠置于第一磁体1和第二磁体2之间。第一磁体1和第二磁体2的磁力线在非导磁华司3处聚集，因第一磁体1和第二磁体2相对的面的磁性相同相互排斥，磁力线从非导磁华司3的侧面穿出，进入导磁性材料的磁轭4的侧壁，形成磁力线水平分布的磁隙。当线圈5中有交变电流通过时，线圈5在水平磁场的作用下相对于磁场上下振动。在技术中，采用多种结构将第一磁体1、第二磁体2及非导磁华司3固定在一起，提高了安装的灵活性和稳定性。第一磁体1和第二磁体2的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双磁体扬声器磁路结构，其特征在于，所述双磁体扬声器磁路结构包括双磁体(10)、磁轭(4)以及线圈(5)；所述磁轭(4)为一端开口的中空结构，所述双磁体(10)设置于所述磁轭(4)内，所述线圈(5)套设于所述双磁体(10)外，且所述线圈(5)位于所述磁轭(4)的内壁与所述双磁体(10)的外壁之间；所述双磁体(10)包括第一磁体(1)、第二磁体(2)以及非导磁华司(3)，所述第一磁体(1)和所述第二磁体(2)相对设置，所述第一磁体(1)和所述第二磁体(2)相对的面的磁性相同；所述非导磁华司(3)叠置于所述第一磁体(1)和所述第二磁体(2)之间。2.如权利要求1所述的双磁体扬声器磁路结构，其特征在于，所述第一磁体(1)和所述第二磁体(2)相互平行，所述第一磁体(1)的第一端面与所述第二磁体(2)的第一端面相对设置。3.如权利要求2所述的双磁体扬声器磁路结构，其特征在于，所述非导磁华司(3)的第一端面与所述第一磁体(1)的第一端面抵接，所述非导磁华司(3)的第二端面与所述第二磁体(2)的第一端面抵接，所述非导磁华司(3)的第一端面和第二端面为一组相对的面。4.如权利要求3所述的双磁体扬声器磁路结构，其特征在于，所述线圈(5)的中轴线与所述第一磁体(1)的中轴线共线，所述非导磁华司(3)的第一端面和第二端面所在的平面均能够垂直穿过所述线圈(5)。5.如权利要求1
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4任意一项所述的双磁体扬声器磁路结构，其特征在于，所述第一磁体(1)和所述第二磁体(2)均为永磁体。6.如权利要求1
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4任意一项所述的双磁体扬声器磁路结构，其特征在于，所述第一磁体(1)、所述第二磁体(2)以及所述非导磁华司(3)上均开设有多个第一通孔，所述第一磁...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡强，
申请(专利权)人：苏州登堡电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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