【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
设置有两只可控硅的单馈式转子脉冲调速控制柜,其特征是:(1)在电路中设置二极管D↓〔1〕阻止电容在KPI导通前放电,使关断能力大大提高;(2)电容的预充电电路:通过R↓〔3〕、D↓〔3〕、JC(常闭触点)由市电电网充电,斩波器工作时JC断开,脱离电网;(3)设置关断电抗L↓〔1〕,延缓C的正向充电,维持C上的反电压时间t↓〔0〕>2tg;(4)在转子整流的交流侧串入RL并联网络,进一步改善控制柜的性能。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:万运骐,龚永芳,
申请(专利权)人:重庆建筑工程学院,
类型:实用新型
国别省市:51[中国|四川]
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