一种十串三元分口充放电保护板制造技术

本实用新型专利技术公开了新能源技术领域的一种十串三元分口充放电保护板，包括：U1保护电路、U2电路和U3电路，所述U2电路和U3电路相并联，所述U2电路和U3电路与所述U1保护电路相连接，本实用新型专利技术能够在在触发U1放电保护，关充放电管，无法进行充放电。无法进行充放电。无法进行充放电。

【技术实现步骤摘要】
一种十串三元分口充放电保护板


[0001]本技术涉及新能源
，具体为一种十串三元分口充放电保护板。

技术介绍

[0002]新能源又称非常规能源。是指传统能源之外的各种能源形式。指刚开始开发利用或正在积极研究、有待推广的能源，如太阳能、地热能、风能、海洋能、生物质能和核聚变能等。
[0003]锂电池是一类由锂金属或锂合金为正/负极材料、使用非水电解质溶液的电池，由于锂金属的化学特性非常活泼，使得锂金属的加工、保存、使用，对环境要求非常高。随着科学技术的发展，锂电池已经成为了主流，锂电池大致可分为两类：锂金属电池和锂离子电池。锂离子电池不含有金属态的锂，并且是可以充电的。
[0004]现有的锂电池在充电过程中会进行持续放电，无法有效地保障锂电池的充放电的安全。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种十串三元分口充放电保护板，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的锂电池在充电过程中会进行持续放电，无法有效地保障锂电池的充放电的安全的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种十串三元分口充放电保护板，包括：
[0007]U1保护电路、U2电路和U3电路，所述U2电路和U3电路相并联，所述U2电路和U3电路与所述U1保护电路相连接，在触发U1放电保护，关充放电管，无法进行充放电。
[0008]优选的，所述U1保护电路包括芯片U1和温度开关RT，所述芯片U1的二十三号引脚上连接有电阻R2和电容C2，所述电阻R2和电容C2相并联，所述电阻R2和电容C2与所述温度开关RT上的一号引脚连接，所述芯片U1的二十二号引脚上连接有电容C1和电阻R3，所述电容C1和电阻R3相并联，所述电容C1和电阻R3与所述温度开关RT上的一号引脚连接，所述芯片U1的三十一号引脚上连接有电阻R9，所述电阻人R9接地VSS2，所述芯片U1的二十四号引脚上连接有电阻R12，所述电阻R12上连接有电容C5，所述电容C5接地VDD1，所述芯片U1的二十六号引脚上连接有电阻R13，所述电阻R13上连接有电容C13，所述电容C13接地VDD1，所述芯片U1的四十一号引脚连接在电阻R12和电容C5之间，所述芯片U1的十二号引脚与电容C13相连接，所述芯片U1的四十二号引脚上连接有电阻R15，所述芯片U1的四十三号引脚上连接有电阻R17，所述电阻R17上连接有NMOS晶体管Q1，所述NMOS晶体管Q1上连接有电阻R23，所述NMOS晶体管Q1上连接有场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3和场效应管M4，所述场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3和场效应管M4相并联，所述场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3和场效应管M4与放电负极P
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连接，所述场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3和场效应管M4上连接有贴片合金电阻Rs1和贴片合金电阻Rs2，所述贴片合金电阻Rs1和贴片合金电
阻Rs2相并联，所述贴片合金电阻Rs1和贴片合金电阻Rs2上连接有贴片镍片B
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连接，所述芯片U1的四十五号引脚上连接有NMOS晶体管Q2，所述NMOS晶体管Q2上串联有电阻R28、电阻R29、电阻R30和电阻R32，所述电阻R28与所述场效应管M1相连接，所述电阻R29与所述场效应管M2相连接，所述电阻R30与所述场效应管M3相连接，所述电阻R32与所述场效应管M4相连接，所述NMOS晶体管Q2上连接有稳压二极管D6、电阻R27和电容C24，所述稳压二极管D6、电阻R27和电容C24相并联，所述稳压二极管D6、电阻R27和电容C24接地VSS1，所述稳压二极管D6、电阻R27和电容C24上连接有电阻R26，所述电阻R26与充电正极P+连接，所述电阻R26上连接有电阻R39，所述电阻R39上连接有保险丝F1和保险丝F2，所述保险丝F1和保险丝F2相并联，所述保险丝F1和保险丝F2与放电正极连接，所述保险丝F1和保险丝F2连接有贴片镍片B+，所述保险丝F1和保险丝F2上连接有快恢复二极管D2，所述快恢复二极管D2与充电负极P
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连接，所述芯片U1的四十六号引脚上连接有热敏电阻Rntc1，所述热敏电阻Rntc1上连接有电阻R24和电容C14，所述电阻R24和电容C14与芯片U1的三号引脚连接，所述电阻R24与所述电容C14相并联，所述芯片U1的四十七号引脚上连接有电容C21，所述电容C21与所述芯片U1的三号引脚连接，所述芯片U1的四十八号引脚上连接有电容C22，所述电容C22与所述芯片U1的三号引脚连接，所述芯片U1的一号引脚与所述热敏电阻Rntc1连接，所述芯片U1的四十四号引脚上连接有电阻R25，所述电阻R25与所述贴片合金电阻Rs1相连接，所述芯片U1的四十四号引脚上连接有电容C23，所述电容C23与所述芯片U1的三号引脚相连接，所述芯片U1的三号引脚接地VSS1，所述芯片U1的三号引脚上连接有稳压二极管D5，所述稳压二极管D5与所述芯片U1的十一号引脚相连接，所述芯片U1的二号引脚与所述芯片U1的三号引脚相连接，所述芯片U1的四号引脚与所述芯片U1的五号引脚相连接，所述芯片U1的四号和五号引脚上均连接有电阻R20，所述电阻R20与所述芯片U1的十一号引脚相连接，所述芯片U1的六号引脚上连接有电容C20，所述电容C20与所述芯片U1的三号引脚相连接，所述芯片U1的六号引脚上连接有电阻R22，所述电阻R22上连接有贴片镍片B1，所述芯片U1的七号引脚上连接有电容C19，所述电容C19与所述芯片U1的三号引脚相连接，所述芯片U1的七号引脚上连接有电阻R21，所述电阻R21上连接有贴片镍片B2，所述芯片U1的七号引脚上连接有电容C18，所述电容C18与所述芯片U1的三号引脚相连接，所述芯片U1的七号引脚上连接有电阻R19，所述电阻R19上连接有贴片镍片B3，所述芯片U1的九号引脚上连接有电容C18，所述电容C18与所述芯片U1的三号引脚相连接，所述芯片U1的九号引脚上连接有电阻R18，所述电阻R18上连接有贴片镍片B4，所述芯片U1的十号引脚上连接有电容C16，所述电容C16与所述芯片U1的三号引脚相连接，所述芯片U1的十号引脚上连接有电阻R16，所述电阻R16上连接有贴片镍片B5，所述芯片U1的十一号引脚上连接有电容C15，所述电容C15与所述芯片U1的三号引脚相连接，所述芯片U1的十一号引脚上连接有电阻R14，所述电阻R14上连接有开关二极管D4，所述开关二极管D4与所述电阻R16相连接，所述芯片U1的十三号引脚上连接有稳压二极管D3，所述稳压二极管D3与所述芯片U1的二十一号引脚相连接，所述芯片U1的十三号引脚与所述电阻R16相连接，所述芯片U1的二十五号引脚上连接有电容C12，所述电容C12与所述芯片U1的十三号引脚相连接，所述芯片U1的十四号引脚与所述芯片U1的十五号引脚相连接，所述芯片U1的十四号引脚和十五号引脚上均连接有电阻R8，所述电阻R8与所述芯片U1的二十一号引脚相连接，所述芯片U1的十六号引脚上连接有电容C11，所述电容C11与所述芯片U本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种十串三元分口充放电保护板，其特征在于：包括：U1保护电路、U2电路和U3电路，所述U2电路和U3电路相并联，所述U2电路和U3电路与所述U1保护电路相连接，在触发U1放电保护，关充放电管，无法进行充放电。2.根据权利要求1所述的一种十串三元分口充放电保护板，其特征在于：所述U1保护电路包括芯片U1和温度开关RT，所述芯片U1的二十三号引脚上连接有电阻R2和电容C2，所述电阻R2和电容C2相并联，所述电阻R2和电容C2与所述温度开关RT上的一号引脚连接，所述芯片U1的二十二号引脚上连接有电容C1和电阻R3，所述电容C1和电阻R3相并联，所述电容C1和电阻R3与所述温度开关RT上的一号引脚连接，所述芯片U1的三十一号引脚上连接有电阻R9，所述电阻人R9接地VSS2，所述芯片U1的二十四号引脚上连接有电阻R12，所述电阻R12上连接有电容C5，所述电容C5接地VDD1，所述芯片U1的二十六号引脚上连接有电阻R13，所述电阻R13上连接有电容C13，所述电容C13接地VDD1，所述芯片U1的四十一号引脚连接在电阻R12和电容C5之间，所述芯片U1的十二号引脚与电容C13相连接，所述芯片U1的四十二号引脚上连接有电阻R15，所述芯片U1的四十三号引脚上连接有电阻R17，所述电阻R17上连接有NMOS晶体管Q1，所述NMOS晶体管Q1上连接有电阻R23，所述NMOS晶体管Q1上连接有场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3和场效应管M4，所述场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3和场效应管M4相并联，所述场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3和场效应管M4与放电负极P
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连接，所述场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3和场效应管M4上连接有贴片合金电阻Rs1和贴片合金电阻Rs2，所述贴片合金电阻Rs1和贴片合金电阻Rs2相并联，所述贴片合金电阻Rs1和贴片合金电阻Rs2上连接有贴片镍片B
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连接，所述芯片U1的四十五号引脚上连接有NMOS晶体管Q2，所述NMOS晶体管Q2上串联有电阻R28、电阻R29、电阻R30和电阻R32，所述电阻R28与所述场效应管M1相连接，所述电阻R29与所述场效应管M2相连接，所述电阻R30与所述场效应管M3相连接，所述电阻R32与所述场效应管M4相连接，所述NMOS晶体管Q2上连接有稳压二极管D6、电阻R27和电容C24，所述稳压二极管D6、电阻R27和电容C24相并联，所述稳压二极管D6、电阻R27和电容C24接地VSS1，所述稳压二极管D6、电阻R27和电容C24上连接有电阻R26，所述电阻R26与充电正极P+连接，所述电阻R26上连接有电阻R39，所述电阻R39上连接有保险丝F1和保险丝F2，所述保险丝F1和保险丝F2相并联，所述保险丝F1和保险丝F2与放电正极连接，所述保险丝F1和保险丝F2连接有贴片镍片B+，所述保险丝F1和保险丝F2上连接有快恢复二极管D2，所述快恢复二极管D2与充电负极P
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连接，所述芯片U1的四十六号引脚上连接有热敏电阻Rntc1，所述热敏电阻Rntc1上连接有电阻R24和电容C14，所述电阻R24和电容C14与芯片U1的三号引脚连接，所述电阻R24与所述电容C14相并联，所述芯片U1的四十七号引脚上连接有电容C21，所述电容C21与所述芯片U1的三号引脚连接，所述芯片U1的四十八号引脚上连接有电容C22，所述电容C22与所述芯片U1的三号引脚连接，所述芯片U1的一号引脚与所述热敏电阻Rntc1连接，所述芯片U1的四十四号引脚上连接有电阻R25，所述电阻R25与所述贴片合金电阻Rs1相连接，所述芯片U1的四十四号引脚上连接有电容C23，所述电容C23与所述芯片U1的三号引脚相连接，所述芯片U1的三号引脚接地VSS1，所述芯片U1的三号引脚上连接有稳压二极管D5，所述稳压二极管D5与所述芯片U1的十一号引脚相连接，所述芯片U1的二号引脚与所述芯片U1的三号引脚相连接，所述芯片U1的四号引脚与所述芯片U1的五号引脚相连接，所述芯片U1的四号和五号引脚上均连接有电阻R20，所述电阻R20与所述芯片U1的十一号引脚相连接，所述芯片U1的六号引脚上连接有电容C20，
所述电容C20与所述芯片U1的三号引脚相连接，所述芯片U1的六号引脚上连接有电阻R22，所述电阻R22上连接有贴片镍片B1，所述芯片U1的七号引脚上连接有电容C19，所述电容C19与所述芯片U1的三号引脚相连接，所述芯片U1的七号引脚上连接有电阻R21，所述电阻R21上连接有贴片镍片B2，所述芯片U1的七号引脚上连接有电容C18，所述电容C18与所述芯片U1的三号引脚相连接，所述芯片U1的七号引脚上连接有电阻R19，所述电阻R19上连接有贴片镍片B3，所述芯片U1的九号引脚上连接有电容C18，所述电容C18与所述芯片U1的三号引脚相连接，所述芯片U1的九号引脚上连接有电阻R18，所述电阻R18上连接有贴片镍片B4，所述芯片U1的十号引脚上连接有电容C16，所述电容C16与所述芯片U1的三号引脚相连接，所述芯片U1的十号引脚上连接有电阻R16，所述电阻R16上连接有贴片镍片B5，所述芯片U1的十一号引脚上连接有电容C15，所述电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡家盛，
申请(专利权)人：永康市盛一能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：