一种十串同口过流二次保护板制造技术

本实用新型专利技术公开了新能源技术领域的一种十串同口过流二次保护板，包括：U1保护电路、U2保护电路、U3保护电路和U4保护电路，所述U1保护电路与所述U2保护电路相并联，所述U3保护电路和所述U4保护电路相并联，所述U1保护电路与所述U2保护电路并联的保护电路与所述U3保护电路和所述U4保护电路并联的保护电路相串联，本实用新型专利技术在U1保护电路充放保护失效后，由并联的U2实现正常的过放保护，在U3保护电路充放保护失效后，由并联的U4实现正常的过放保护。由并联的U4实现正常的过放保护。由并联的U4实现正常的过放保护。

【技术实现步骤摘要】
一种十串同口过流二次保护板


[0001]本技术涉及新能源
，具体为一种十串同口过流二次保护板。

技术介绍

[0002]新能源又称非常规能源。是指传统能源之外的各种能源形式。指刚开始开发利用或正在积极研究、有待推广的能源，如太阳能、地热能、风能、海洋能、生物质能和核聚变能等。
[0003]锂电池是一类由锂金属或锂合金为正/负极材料、使用非水电解质溶液的电池，由于锂金属的化学特性非常活泼，使得锂金属的加工、保存、使用，对环境要求非常高。随着科学技术的发展，锂电池已经成为了主流，锂电池大致可分为两类：锂金属电池和锂离子电池。锂离子电池不含有金属态的锂，并且是可以充电的。
[0004]现有的锂电池存有一路保护机制，当改路保护机制失效时，无法有效的对锂电池的充放电过程进行有效的监控保护，极大地影响了锂电池的使用安全。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种十串同口过流二次保护板，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的锂电池存有一路保护机制，当改路保护机制失效时，无法有效的对锂电池的充放电过程进行有效的监控保护，极大地影响了锂电池的使用安全的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种十串同口过流二次保护板，包括：
[0007]U1保护电路、U2保护电路、U3保护电路和U4保护电路，所述U1保护电路与所述U2保护电路相并联，所述U3保护电路和所述U4保护电路相并联，所述U1保护电路与所述U2保护电路并联的保护电路与所述U3保护电路和所述U4保护电路并联的保护电路相串联，在U1保护电路充放保护失效后，由并联的U2实现正常的过放保护，在U3保护电路充放保护失效后，由并联的U4实现正常的过放保护。
[0008]优选的，所述U1保护电路包括芯片U1，所述芯片U1的一号引脚连接有电阻R41，所述芯片U1的一号引脚连接有电阻R53，所述电阻R53上连接有电容C38，所述电容C38与所述芯片U1的八号引脚相连接，所述芯片U1的二号引脚连接有电阻R42，所述芯片U1的三号引脚连接有电容C33，所述电容 C33与所述电阻R53相连接，所述芯片U1的四号引脚连接有电容C34，所述电容C34与所述电阻R53相连接，所述芯片U1的五号引脚连接有电容C35，所述电容C35与所述电阻R53相连接，所述芯片U1的六号引脚连接有电容C36，所述电容C36与所述电阻R53相连接，所述芯片U1的七号引脚连接有热敏电阻NTC1，所述热敏电阻NTC1与电阻R53相连接，所述芯片U1的七号引脚连接有电容C37，所述电容C37与所述电阻R53相连接，所述芯片U1的八号引脚连接有电阻R51，所述电阻R51与电阻R53相连接，所述芯片U1的九号引脚连接有电阻R44，所述电阻R44上连接有场效应管Q9，所述场效应管Q9上连接有电阻R43，所述芯片U1的十号引脚连接有电阻RS6，所述电阻 RS6上连接有场效应管Q6，所述芯片U1的十
号引脚连接有电阻RS5，所述电阻RS5上连接有场效应管Q5，所述场效应管Q6和所述场效应管Q5相并联，所述芯片U1的十号引脚连接有电阻R45，所述芯片U1的十一号引脚连接有电阻R46，所述电阻R46上连接有电阻RS4，所述电阻RS4上连接有场效应管Q4，所述电阻R46上连接有电阻RS3，所述电阻RS3上连接有场效应管Q3，所述场效应管Q3和所述场效应管Q4相并联，所述场效应管Q3和所述场效应管Q4 与所述场效应管Q5和所述场效应管Q6相连接，所述场效应管Q3和所述场效应管Q4上连接有电容C44，所述电阻RS4上连接有贴片三极管T6，所述贴片三极管T6上连接有电阻R48，所述电阻R48与所述电容C44连接，所述芯片U1的十二号引脚连接有电阻R47，所述电阻R47上连接有场效应管Q2和场效应管Q1，所述场效应管Q2和场效应管Q1相并联，所述场效应管Q2和场效应管Q1与所述场效应管Q3和所述场效应管Q4相连接，所述场效应管Q2和场效应管Q1上连接有电容C45，所述电容C45与所述电容C44相连接，所述电阻R47上连接有合金贴片电阻Rsn1和合金贴片电阻Rsn2，所述合金贴片电阻 Rsn1和合金贴片电阻Rsn2上连接有电阻R49，所述电阻R49上连接有电容C41，所述电容C41与贴片三极管T6相连接，所述电容C41与所述合金贴片电阻Rsn1 和合金贴片电阻Rsn2相连接，所述芯片U1的十二号引脚连接有电容C39，所述电容C39与所述合金贴片电阻Rsn1和合金贴片电阻Rsn2相连接，所述芯片U1的十四号引脚与所述电容C39相连接，所述芯片U1的十五号引脚上连接有电容C1，所述芯片U1的十五号引脚上连接有电阻R1，所述电阻R1上连接有贴片镍片B1，所述芯片U1的十六号引脚上连接有电容C2，所述芯片U1 的十六号引脚上连接有电阻R2，所述电阻R2上连接有贴片镍片B2，所述芯片U1的十七号引脚上连接有电容C3，所述芯片U1的十七号引脚上连接有电阻R3，所述电阻R3上连接有贴片镍片B3，所述芯片U1的十八号引脚上连接有电容C4，所述芯片U1的十八号引脚上连接有电阻R4，所述电阻R4上连接有贴片镍片B4，所述芯片U1的十九号引脚上连接有电容C5，所述芯片U1的十九号引脚上连接有电阻R5，所述电阻R5上连接有贴片镍片B+，所述芯片 U1的二十号引脚上连接有电容C21，所述芯片U1的二十号引脚上连接有电阻 R21，所述电阻R21上连接有贴片二极管D1，所述贴片二极管D1与贴片镍片 B+相连接，所述贴片二极管D1与所述电阻R5上连接有电阻R38，所述电阻 R38连接有贴片三极管T1，所述贴片三极管T1上连接有贴片三极管T2和电阻R39，所述贴片三极管T2和电阻R39相连接，所述电阻R39上连接有电阻 R40，所述电阻R40上连接有贴片二极管D6，所述贴片二极管D6与充放电负极P
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，所述贴片三极管T2与电阻R41相连接。
[0009]优选的，所述U2保护电路包括芯片U2，所述芯片U2的一号引脚上连接有电阻R54，所述芯片U2的二号引脚与是芯片U3的十号引脚相连接，所述芯片U2的三号引脚上连接有电容C29，所述电容C29与所述电阻R54相连接，所述芯片U2的四号引脚上连接有电容C30，所述电容C30与所述电阻R54相连接，所述芯片U2的五号引脚上连接有电容C31，所述电容C31与所述电阻 R54相连接，所述芯片U2的六号引脚上连接有电容C32，所述电容C32与所述电阻R54相连接，所述芯片U2的七号引脚上连接有电容C30，所述电容C30 与所述电阻R54相连接热敏电阻NTC2，所述热敏电阻NTC2与所述电阻R54相连接，所述芯片U2的四号引脚上连接有电容C42，所述电容C42与所述电阻 R54相连接，所述芯片U2的八号引脚上连接有电阻R52，所述电阻R52与所述电阻R54相连接，所述芯片U2的八号引脚上连接有电容C43，所述电容C43 与所述电阻R54相连接，所述芯片U2的九号引脚上连接有电阻R34，所述电阻R34上连接有场效应管Q10，所述场效应管Q10上连接有电阻R35本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种十串同口过流二次保护板，其特征在于：包括：U1保护电路、U2保护电路、U3保护电路和U4保护电路，所述U1保护电路与所述U2保护电路相并联，所述U3保护电路和所述U4保护电路相并联，所述U1保护电路与所述U2保护电路并联的保护电路与所述U3保护电路和所述U4保护电路并联的保护电路相串联，在U1保护电路充放保护失效后，由并联的U2实现正常的过放保护，在U3保护电路充放保护失效后，由并联的U4实现正常的过放保护。2.根据权利要求1所述的一种十串同口过流二次保护板，其特征在于：所述U1保护电路包括芯片U1，所述芯片U1的一号引脚连接有电阻R41，所述芯片U1的一号引脚连接有电阻R53，所述电阻R53上连接有电容C38，所述电容C38与所述芯片U1的八号引脚相连接，所述芯片U1的二号引脚连接有电阻R42，所述芯片U1的三号引脚连接有电容C33，所述电容C33与所述电阻R53相连接，所述芯片U1的四号引脚连接有电容C34，所述电容C34与所述电阻R53相连接，所述芯片U1的五号引脚连接有电容C35，所述电容C35与所述电阻R53相连接，所述芯片U1的六号引脚连接有电容C36，所述电容C36与所述电阻R53相连接，所述芯片U1的七号引脚连接有热敏电阻NTC1，所述热敏电阻NTC1与电阻R53相连接，所述芯片U1的七号引脚连接有电容C37，所述电容C37与所述电阻R53相连接，所述芯片U1的八号引脚连接有电阻R51，所述电阻R51与电阻R53相连接，所述芯片U1的九号引脚连接有电阻R44，所述电阻R44上连接有场效应管Q9，所述场效应管Q9上连接有电阻R43，所述芯片U1的十号引脚连接有电阻RS6，所述电阻RS6上连接有场效应管Q6，所述芯片U1的十号引脚连接有电阻RS5，所述电阻RS5上连接有场效应管Q5，所述场效应管Q6和所述场效应管Q5相并联，所述芯片U1的十号引脚连接有电阻R45，所述芯片U1的十一号引脚连接有电阻R46，所述电阻R46上连接有电阻RS4，所述电阻RS4上连接有场效应管Q4，所述电阻R46上连接有电阻RS3，所述电阻RS3上连接有场效应管Q3，所述场效应管Q3和所述场效应管Q4相并联，所述场效应管Q3和所述场效应管Q4与所述场效应管Q5和所述场效应管Q6相连接，所述场效应管Q3和所述场效应管Q4上连接有电容C44，所述电阻RS4上连接有贴片三极管T6，所述贴片三极管T6上连接有电阻R48，所述电阻R48与所述电容C44连接，所述芯片U1的十二号引脚连接有电阻R47，所述电阻R47上连接有场效应管Q2和场效应管Q1，所述场效应管Q2和场效应管Q1相并联，所述场效应管Q2和场效应管Q1与所述场效应管Q3和所述场效应管Q4相连接，所述场效应管Q2和场效应管Q1上连接有电容C45，所述电容C45与所述电容C44相连接，所述电阻R47上连接有合金贴片电阻Rsn1和合金贴片电阻Rsn2，所述合金贴片电阻Rsn1和合金贴片电阻Rsn2上连接有电阻R49，所述电阻R49上连接有电容C41，所述电容C41与贴片三极管T6相连接，所述电容C41与所述合金贴片电阻Rsn1和合金贴片电阻Rsn2相连接，所述芯片U1的十二号引脚连接有电容C39，所述电容C39与所述合金贴片电阻Rsn1和合金贴片电阻Rsn2相连接，所述芯片U1的十四号引脚与所述电容C39相连接，所述芯片U1的十五号引脚上连接有电容C1，所述芯片U1的十五号引脚上连接有电阻R1，所述电阻R1上连接有贴片镍片B1，所述芯片U1的十六号引脚上连接有电容C2，所述芯片U1的十六号引脚上连接有电阻R2，所述电阻R2上连接有贴片镍片B2，所述芯片U1的十七号引脚上连接有电容C3，所述芯片U1的十七号引脚上连接有电阻R3，所述电阻R3上连接有贴片镍片B3，所述芯片U1的十八号引脚上连接有电容C4，所述芯片U1的十八号引脚上连接有电阻R4，所述电阻R4上连接有贴片镍片B4，所述芯片U1的十九号引脚上连接有电容C5，所述芯片U1的十九号引脚上连接有电阻R5，所述电阻R5上连接有贴片镍
片B+，所述芯片U1的二十号引脚上连接有电容C21，所述芯片U1的二十号引脚上连接有电阻R21，所述电阻R21上连接有贴片二极管D1，所述贴片二极管D1与贴片镍片B+相连接，所述贴片二极管D1与所述电阻R5上连接有电阻R38，所述电阻R38连接有贴片三极管T1，所述贴片三极管T1上连接有贴片三极管T2和电阻R39，所述贴片三极管T2和电阻R39相连接，所述电阻R39上连接有电阻R40，所述电阻R40上连接有贴片二极管D6，所述贴片二极管D6与充放电负极P
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，所述贴片三极管T2与电阻R41相连接。3.根据权利要求2所述的一种十串同口过流二次保护板，其特征在于：所述U2保护电路包括芯片U2，所述芯片U2的一号引脚上连接有电阻R54，所述芯片U2的二号引脚与是芯片U3的十号引脚相连接，所述芯片U2的三号引脚上连接有电容C29，所述电容C29与所述电阻R54相连接，所述芯片U2的四号引脚上连接有电容C30，所述电容C30与所述电阻R54相连接，所述芯片U2的五号引脚上连接有电容C31，所述电容C31与所述电阻R54相连接，所述芯片U2的六号引脚上连接有电容C32，所述电容C32与所述电阻R54相连接，所述芯片U2的七号引脚上连接有电容C30，所述电容C30与所述电阻R54相连接热敏电阻NTC2，所述热敏电阻NTC2与所述电阻R54相连接，所述芯片U2的四号引脚上连接有电容C42，所述电容C42与所述电阻R54相连接，所述芯片U2的八号引脚上连接有电阻R52，所述电阻R52与所述电阻R54相连接，所述芯片U2的八号引脚上连接有电容C43，所述电容C43与所述电阻R54相连接，所述芯片U2的九号引脚上连接有电阻R34，所述电阻R34上连接有场效应管Q10，所述场效应管Q10上连接有电阻R35，所述电阻R35与贴片镍片B3连接，所述场效应管Q10与充放电负极P
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【专利技术属性】
技术研发人员：胡家盛，
申请(专利权)人：永康市盛一能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：