半导体芯片中无需基准电压和偏置电流的电压检测电路制造技术

本实用新型专利技术公开的一种半导体芯片中无需基准电压和偏置电流的电压检测电路，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管；第二晶体管的第三端通过第一电阻接地，第一晶体管的第三端接地；第一晶体管的第一端与第二晶体管的第一端相连；第三晶体管与第四晶体管构成电流镜；第三晶体管的第二端与电源相连；第四晶体管的第二端与电源相连；第五晶体管与第六晶体管组成反相器结构；第五晶体管与第六晶体管的第一端与第一晶体管的第二端相连。本实用新型专利技术提供的电压检测电路，不需要额外设置基准电压和偏置电流，减小了电压检测电路的功耗。减小了电压检测电路的功耗。减小了电压检测电路的功耗。

【技术实现步骤摘要】
半导体芯片中无需基准电压和偏置电流的电压检测电路


[0001]本技术涉及半导体芯片
，具体涉及半导体芯片中无需基准电压和偏置电流的电压检测电路。

技术介绍

[0002]电压检测模块是芯片中常用的模块之一。在现有技术中，为了构建电压检测模块，需要在芯片内部设置一个增益很大的放大器作为比较器，通过比较器对基准电压与需要检测的电压进行比较从而实现电压检测。
[0003]但在上述方案中，比较器需要一个基准电压和一个为比较器提供偏置电流的电路，且比较器的结构也比较复杂，需要的供电电压较高，提高了芯片的设计要求。

技术实现思路

[0004]因此，本技术提供的一种半导体芯片中无需基准电压和偏置电流的电压检测电路，克服现有技术中需要较高的供电电压的技术问题。
[0005]为达到上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]本技术实施例提供一种半导体芯片中无需基准电压和偏置电流的电压检测电路，所述电压检测电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管；所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管以及所述第六晶体管均为三端子晶体管；所述三端子晶体管包括第一端、第二端以及第三端；所述第一端用于指示所述第二端与所述第三端的导通情况；
[0007]所述第二晶体管的第三端通过第一电阻接地，所述第一晶体管的第三端接地；所述第一晶体管的第一端与所述第二晶体管的第一端相连；
[0008]所述第三晶体管与所述第四晶体管构成电流镜；所述第三晶体管的第二端与电源相连，以便第一电流从所述第三晶体管的第二端，经过第三晶体管的第三端流向所述第一晶体管的第二端；所述第四晶体管的第二端与所述电源相连，以便第二电流从所述第四晶体管的第二端，经过第四晶体管的第三端流向所述第二晶体管的第二端；
[0009]所述第五晶体管与所述第六晶体管组成反相器结构；所述第五晶体管与所述第六晶体管的第一端与所述第一晶体管的第二端相连。
[0010]可选的，所述三端子晶体管是金属氧化物半导体场效应MOS管。
[0011]可选的，所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第五晶体管是N沟道MOS管；所述第三晶体管、所述第四晶体管以及所述第六晶体管是P沟道MOS管。
[0012]可选的，所述P沟道MOS管的第一端为栅极；所述P沟道MOS管的第二端为源极；P沟道MOS管的第三端为漏极；
[0013]N沟道MOS管的第一端为栅极；所述N沟道MOS管的第二端为漏极；N沟道MOS管的第三端为源极。
[0014]可选的，所述第二晶体管的沟道宽长比大于所述第一晶体管的沟道宽长比。
[0015]可选的，所述三端子晶体管是三极管。
[0016]可选的，所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第五晶体管是NPN三极管；所述第三晶体管、所述第四晶体管以及所述第六晶体管是PNP三极管。
[0017]可选的，所述NPN三极管的第一端是基极；所述NPN三极管的第二端是集电极；所述NPN三极管的第三端是发射极；
[0018]所述PNP三极管的第一端是基极；所述PNP三极管的第二端是发射极；所述PNP三极管的第三端是集电极。
[0019]本技术技术方案，具有如下优点：
[0020]本技术提供的半导体芯片中无需基准电压和偏置电流的电压检测电路，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管；第二晶体管的第三端通过第一电阻接地，第一晶体管的第三端接地；第一晶体管的第一端与第二晶体管的第一端相连；第三晶体管与第四晶体管构成电流镜；第三晶体管的第二端与电源相连；第四晶体管的第二端与电源相连；第五晶体管与第六晶体管组成反相器结构；第五晶体管与第六晶体管的第一端与第一晶体管的第二端相连。本技术提供的电压检测电路，通过各个晶体管使得输入电流镜的待测量电压与预设的电压值进行比较，并通过反相器的输出电压值得到比较结果，从而实现电压大小的检测，不需要额外设置基准电压和偏置电流，减小了电压检测电路的功耗。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1示出了本申请实施例涉及的一种半导体芯片中无需基准电压和偏置电流的电压检测电路的示意图；
[0023]图2示出了本申请实施例涉及的电流镜示意图；
[0024]图3是本申请实施例涉及的电流镜中的电流电压关系示意图；
[0025]图4示出了本申请实施例涉及的一种半导体芯片中无需基准电压和偏置电流的电压检测电路的示意图。
具体实施方式
[0026]下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0027]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0028]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地
连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0029]此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0030]实施例
[0031]图1示出了本申请实施例涉及的一种半导体芯片中无需基准电压和偏置电流的电压检测电路的示意图。如图1所示，以该电压检测电路中的晶体管都为MOS管为例，该电压检测电路包括：第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5以及第六晶体管M6；该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第四晶体管、该第五晶体管以及该第六晶体管均为三端子晶体管；该三端子晶体管包括第一端、第二端以及第三端；该第一端用于指示该第二端与该第三端的导通情况；
[0032]该第二晶体管的第三端通过第一电阻接地，该第一晶体管的第三端接地；该第一晶体管的第一端与该第二晶体管的第一端相连；
[0033]该第三晶体管与该第四晶体管构成电流镜；该第三晶体管的第二端与电源相连，以便第一电流从该第三晶体管的第二端，经过第三晶体管的第三端流向该第一晶体管的第二端；该第四晶体管的第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片中无需基准电压和偏置电流的电压检测电路，其特征在于，所述电压检测电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管；所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管以及所述第六晶体管均为三端子晶体管；所述三端子晶体管包括第一端、第二端以及第三端；所述第一端用于指示所述第二端与所述第三端的导通情况；所述第二晶体管的第三端通过第一电阻接地，所述第一晶体管的第三端接地；所述第一晶体管的第一端与所述第二晶体管的第一端相连；所述第三晶体管与所述第四晶体管构成电流镜；所述第三晶体管的第二端与电源相连，以便第一电流从所述第三晶体管的第二端，经过第三晶体管的第三端流向所述第一晶体管的第二端；所述第四晶体管的第二端与所述电源相连，以便第二电流从所述第四晶体管的第二端，经过第四晶体管的第三端流向所述第二晶体管的第二端；所述第五晶体管与所述第六晶体管组成反相器结构；所述第五晶体管与所述第六晶体管的第一端与所述第一晶体管的第二端相连。2.根据权利要求1所述的电压检测电路，其特征在于，所述三端子晶体管是金属氧化物半导体场效应MOS管。3.根据权利要求2所述的电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：苏州贝克微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：