【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电源电路，具体涉及一种宽输出电压范围的低功耗电源。
技术介绍
1、开关电源电路通常包括功率电路和集成电路控制芯片，该集成电路控制芯片内部各个模块的供电电压或基准电压通常由芯片内部电源直接产生。
2、但是，传统的芯片内部电源通常只能产生固定值的输出电压，而当该集成电路控制芯片用于不同应用场景的开关电源电路中时，芯片内部各个模块需要不同的供电电压或基准电压，导致集成电路控制芯片内部电源无法适用于多场景的开关电源电路中。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种宽输出电压范围的低功耗电源，以解决电压生成电路无法适用于多场景的问题。
2、第一方面，本专利技术提供了一种宽输出电压范围的低功耗电源，包括：外部电源检测电路、第一电压生成电路和第二电压生成电路；
3、所述外部电源检测电路由控制电源供电；所述外部电源检测电路的输出端与所述第一电压生成电路和所述第二电压生成电路的输入端相连；
4、所述外部电源检测电路被配置为检测外部电源是否符合供电要求；在所述外部电源符合供电要求的情况下，所述外部电源检测电路的输出端输出第一控制信号；在所述外部电源不符合供电要求的情况下，所述外部电源检测电路的输出端输出第二控制信号；
5、所述第一电压生成电路被配置为：响应于所述第一控制信号，输出与所述外部电源相对应的电压；
6、所述第二电压生成电路被配置为：响应于所述第二控制信号，对输入的供电电源进行转换，并输出转换后的电压
7、第二方面，本专利技术提供了一种半导体集成电路控制芯片，包括上述第一方面所述的宽输出电压范围的低功耗电源。
8、第三方面，本专利技术提供了一种开关电源电路，包括上述第二方面所述的半导体集成电路控制芯片。
9、本专利技术可以控制不同的电压生成电路对外供电，且满足供电要求的外部电源可以工作于较宽的电压范围，使得该低功耗电源可以具有较宽的输出电压范围。并且，第一电压生成电路由外部电源供电，当第一电压生成电路工作时，所消耗的是外部电源的功耗，从而能够大大降低该宽输出电压范围的低功耗电源的功耗，使得该宽输出电压范围的低功耗电源处于低功耗状态，能够保证整体功耗偏低。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种宽输出电压范围的低功耗电源，其特征在于，包括：外部电源检测电路（100）、第一电压生成电路（200）和第二电压生成电路（300）；
2.根据权利要求1所述的低功耗电源，其特征在于，所述外部电源检测电路（100）包括：电流源B1、第一开关管M1、第二开关管M2、第三开关管M3、第四开关管M4、第五开关管M5、第六开关管M6、第七开关管M7、第八开关管M8、第九开关管M9、第十开关管M10、第一电阻R1、第二电阻R2和第一反相器A1；其中，所述第一开关管M1、所述第二开关管M2、所述第七开关管M7、所述第八开关管M8、所述第九开关管M9、所述第十开关管M10为NPN型三极管或N型场效应管；所述第三开关管M3、所述第四开关管M4、所述第五开关管M5、所述第六开关管M6为PNP型三极管或P型场效应管；
3.根据权利要求2所述的低功耗电源，其特征在于，所述外部电源检测电路（100）还包括：第一迟滞电路（101）和第二迟滞电路（102）；所述第一迟滞电路（101）包括：第三电阻R3和第十一开关管M11；所述第十一开关管M11为NPN型三极管或N型场效应管；p>
4.根据权利要求3所述的低功耗电源，其特征在于，所述第二迟滞电路（102）包括：第十二开关管M12和第十三开关管M13；所述第十二开关管M12、所述第十三开关管M13为PNP型三极管或P型场效应管；
5.根据权利要求1所述的低功耗电源，其特征在于，所述第一电压生成电路（200）包括：响应电路（201）和开关电路（202）；
6.根据权利要求5所述的低功耗电源，其特征在于，所述响应电路（201）包括：第二反相器A2、第三反相器A3、第十四开关管M14、第十五开关管M15、第十六开关管M16和第十七开关管M17；所述第十四开关管M14、所述第十五开关管M15为PNP型三极管或P型场效应管，所述第十六开关管M16、所述第十七开关管M17为NPN型三极管或N型场效应管；
7.根据权利要求1所述的低功耗电源，其特征在于，所述第二电压生成电路（300）包括：供电开关管M0、第四电阻R4、第五电阻R5、第十九开关管M19、第二十开关管M20、第二十一开关管M21、第二十二开关管M22、第二十三开关管M23、第二十四开关管M24、第二十五开关管M25、第二十六开关管M26、第二十七开关管M27和第二十八开关管M28；其中，所述第十九开关管M19、所述第二十开关管M20、所述第二十一开关管M21、所述第二十二开关管M22为PNP型三极管或P型场效应管；所述第二十三开关管M23、所述第二十四开关管M24、所述第二十五开关管M25、所述第二十六开关管M26、所述第二十七开关管M27、所述第二十八开关管M28为NPN型三极管或N型场效应管；
8.根据权利要求7所述的低功耗电源，其特征在于，所述第二电压生成电路（300）还包括：稳压二极管Z1和第六电阻R6；所述稳压二极管Z1和所述第六电阻R6串接，并设置在所述第十九开关管M19的电流输入端与所述第二十三开关管M23的电流输出端之间；
9.一种半导体集成电路控制芯片，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的宽输出电压范围的低功耗电源。
10.一种开关电源电路，其特征在于，包括如权利要求9所述的半导体集成电路控制芯片。
...【技术特征摘要】
1.一种宽输出电压范围的低功耗电源，其特征在于，包括：外部电源检测电路（100）、第一电压生成电路（200）和第二电压生成电路（300）；
2.根据权利要求1所述的低功耗电源，其特征在于，所述外部电源检测电路（100）包括：电流源b1、第一开关管m1、第二开关管m2、第三开关管m3、第四开关管m4、第五开关管m5、第六开关管m6、第七开关管m7、第八开关管m8、第九开关管m9、第十开关管m10、第一电阻r1、第二电阻r2和第一反相器a1；其中，所述第一开关管m1、所述第二开关管m2、所述第七开关管m7、所述第八开关管m8、所述第九开关管m9、所述第十开关管m10为npn型三极管或n型场效应管；所述第三开关管m3、所述第四开关管m4、所述第五开关管m5、所述第六开关管m6为pnp型三极管或p型场效应管；
3.根据权利要求2所述的低功耗电源，其特征在于，所述外部电源检测电路（100）还包括：第一迟滞电路（101）和第二迟滞电路（102）；所述第一迟滞电路（101）包括：第三电阻r3和第十一开关管m11；所述第十一开关管m11为npn型三极管或n型场效应管；
4.根据权利要求3所述的低功耗电源，其特征在于，所述第二迟滞电路（102）包括：第十二开关管m12和第十三开关管m13；所述第十二开关管m12、所述第十三开关管m13为pnp型三极管或p型场效应管；
5.根据权利要求1所述的低功耗电源，其特征在于，所述第一电压生成电路（200）包括：响应电路（201）和开关电路（202）；
6.根据权利要求5所述的低功耗电源，其特征在于，所述响应电路（201）包...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：苏州贝克微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。